Metadata
Author: cordis
Data
German[de]
Will man die der Geschwindigkeit in CMOS-Schaltungen (komplementärer Metalloxidhalbleiter) über ein bestimmtes Maß hinaus optimieren, sind neue Materialien mit höherer Elektronenbeweglichkeit als Silizium (Si) erforderlich.
English[en]
Optimisation of speed in complementary metal–oxide semiconductor (CMOS) circuits beyond a certain level requires new materials with higher electron mobility than silicon (Si).
Spanish[es]
La optimización de la velocidad en circuitos de metal-óxido-semiconductor complementario (CMOS) más allá de un límite establecido precisa del empleo de materiales en los que los electrones se muevan con mayor libertad que en el silicio (Si).
French[fr]
L'optimisation de la vitesse des circuits de semi-conducteurs complémentaires à oxyde de métal (CMOS) au-delà d'un certain niveau requiert de nouveaux matériaux avec une mobilité électronique plus élevée que celle du silicium (Si).
Italian[it]
L'ottimizzazione della velocità nei circuiti di semiconduttori in ossido di metallo complementari (CMOS) oltre un certo livello richiede nuovi materiali con una mobilità di elettroni superiore rispetto al silicio (Si).
Polish[pl]
Optymalizacja prędkości w komplementarnych układach metal-tlenek-półprzewodnik (CMOS) powyżej pewnego poziomu wymaga zastosowania nowych materiałów o większej ruchliwości elektronów niż w przypadku krzemu (Si).