Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
The present invention relates to a zinc oxide-based p-type semiconductor thin film using hydrogen and to a method for manufacturing same.
French[fr]
La présente invention concerne une couche mince de semi-conducteur de type p à base d'oxyde de zinc utilisant de l'hydrogène et un procédé de fabrication de celle-ci.
Korean[ko]
본 발명은 수소를 이용한 산화아연계 p 형 반도체 박막 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판 위에 전이금속(M)이 도핑된 Zn1-XMXO(0.07≤x≤0.2) 산화아연계 박막을 증착시키는 박막 증착단계와; 상기 박막 증착단계를 거친 산화아연계 박막 상면에 금속 박막을 증착시키는 금속층 형성단계와; 상기 금속층 형성단계 후에, 상기 산화아연계 박막 및 금속 박막이 형성된 기판 측으로 수소가 함유된 혼합가스를 흘려서 상기 산화아연계 박막에 수소를 주입시키는 수소 주입단계;를 포함하여 구성되는 수소를 이용한 산화아연계 p 형 반도체 박막의 제조방법을 기술적 요지로 한다.