Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
Provided is a nonvolatile semiconductor storage device, comprising: a first insulating layer (2); a first semiconductor layer (3a)...nth insulating layer (4b), nth semiconductor layer (3c), (n+1)th insulating layer (5) (where n is a natural number of 2 or more) stacked in that order in a first direction; and a fin-shaped laminated structure (9) that extends in a second direction.
French[fr]
L'invention porte sur un dispositif de mémoire à semi-conducteurs non volatile comprenant : une première couche isolante (2), une première couche semi-conductrice (3a)...une nième couche isolante (4b), une nième couche semi-conductrice (3c), une (n+1)ième couche isolante (5) (n étant un entier naturel égal à 2 ou plus) empilées dans cet ordre dans une première direction ; et une structure stratifiée en forme d'ailettes (9) qui s'étend dans une deuxième direction.
Japanese[ja]
本発明の不揮発性半導体記憶装置は、第1の方向に、第1の絶縁層(2)、第1の半導体層(3a)、...第nの絶縁層(4b)、第nの半導体層(3c)、第(n+1)の絶縁層(5)(nは2以上の自然数)の順に積み重ねられ、第2の方向に延びるフィン型積層構造(9)を有する。