Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
As long as the CdTe semiconductor substrate does not exhibit any traces of line-form damages from polishing with a depth of 1nm or more within a 10μm by 10μm field of view when observing the surface of the substrate with an atomic force microscope or orange peel when visually observing the surface of the substrate under fluorescent light, good quality epitaxial crystals can be grown.
French[fr]
Pourvu que le substrat semi-conducteur au CdTe ne présente pas de traces de dommages linéaires provenant du polissage, d'une profondeur de 1 nm ou davantage dans un champ de vision de 10 μm par 10 μm lorsque l'on observe la surface du substrat à l'aide d'un microscope à force atomique, ni de peau d'orange lorsque l'on observe visuellement la surface du substrat sous lumière fluorescente, on peut faire croître par épitaxie des cristaux de bonne qualité.
Japanese[ja]
原子間力顕微鏡で基板表面を観察したときに10μm×10μmの視野範囲内に深さ1nm以上の線状の研磨ダメージの痕跡が観察されず、かつ、蛍光灯下目視で基板表面を観察したときにオレンジピールが観察されないCdTe系半導体基板であれば、良質なエピタキシャル結晶を成長させることができる。