Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
The present disclosure relates to a method for fabricating a vertically structured, nitride-based light emitting device comprising the following steps: preparation of a substrate; formation of a trench on the substrate by either a laser- or a diamond-cutting process; cultivation of a nitride-based semiconductor layer on the substrate; and separation of said nitride-based semiconductor layer from the substrate.
French[fr]
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif électroluminescent à base de nitrure, verticalement structuré, comprenant les étapes suivantes: préparation d'un substrat; formation d'une tranchée sur le substrat à l'aide d'un procédé de découpe par laser ou au diamant; culture d'une couche semi-conductrice à base de nitrure sur le substrat; et séparation de ladite couche semi-conductrice à base de nitrure à partir du substrat.
Korean[ko]
본 개시는, 기판을 준비하는 단계; 기판에 레이저(laser) 또는 다이아몬드 커팅(diamond cutting)에 의해 트렌치(trench) 라인을 형성하는 단계; 기판에 질화물계 반도체층을 성장시키는 단계; 및 질화물계 반도체층과 기판을 분리하는 단계;를 포함하는 수직형 질화물계 발광소자의 제조방법에 관한 것이다.