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Author: EurLex-2
Data
Danish[da]
(13) Projektet omfatter opførelse af anlæg til fremstilling af DRAM (Dynamic Random Access Memory) med en linjebredde på 0,14 μm eller derunder baseret på 300 mm-siliciumskiver, der også betegnes som "wafers".
German[de]
(13) Das Vorhaben betrifft die Errichtung von Anlagen für die Herstellung von dynamischen Halbleiterspeichern (Dynamic Random Access Memory - DRAM) mit Strukturbreiten von höchstens 0,14 μm auf 300-mm-Siliziumscheiben, die auch als "Wafer" bezeichnet werden.
Greek[el]
(13) Το σχέδιο περιλαμβάνει την κατασκευή εγκαταστάσεων για την παραγωγή DRAM (δυναμική μνήμη τυχαίας προσπέλασης) με μέγιστο εύρος γραμμής 0,14 μm, με τη χρησιμοποίηση δισκίων πυριτίου (Wafer) 300 mm.
English[en]
(13) A fabrication plant is to be built for dynamic random access memories (DRAMs) with a line width of 0,14 μm and below, using 300 mm silicon disks, also known as "wafers".
Spanish[es]
(13) El proyecto se refiere a la construcción de instalaciones para la fabricación de memorias dinámicas de acceso aleatorio (dynamic random access memory - "DRAM"), con un ancho de línea máximo de 0,14 μm en placas de silicio de 300 mm, también llamadas obleas.
Finnish[fi]
(13) Hankkeen tarkoituksena on rakentaa tuotantolaitos, jossa valmistetaan halkaisijaltaan 300 mm:n piikiekoista dynaamisia puolijohdemuistipiirejä (Dynamic Random Access Memory, DRAM), joiden viivaleveys on 0,14 μm tai sitä pienempi.
French[fr]
(13) Ce projet porte sur la construction d'une installation de production de mémoires dynamiques à accès aléatoire (dynamic random access memory - DRAM) d'une largeur de canal maximale de 0,14 μm sur plaquettes de silicium de 300 mm.
Italian[it]
(13) Il progetto riguarda la realizzazione di impianti per la produzione di memoria dinamica ad accesso casuale (Dynamic Random Access Memory - "DRAM") con larghezza massima delle piste di 0,14 μm su piastrine di silicio, o "wafer", da 300 mm.
Dutch[nl]
(13) Het project behelst de bouw van installaties voor de productie van dynamische halfgeleidergeheugens (dynamic random access memory - DRAM) met een feature size van maximaal 0,14 μm op 300-mm-siliciumschijven, die ook wel "wafels" worden genoemd.
Portuguese[pt]
(13) O projecto visa a construção de instalações para o fabrico de memórias de acesso aleatório dinâmico (Dynamic Random Access Memory - "DRAM") com uma largura de canal não superior a 0,14 μm em discos de silício de 300 mm, também designados por bolachas (wafers).
Swedish[sv]
(13) Projektet avser uppförande av anläggningar för tillverkning av dynamiska direktminnen (Dynamic Random Access Memory - "DRAM") med en linjebredd av högst 0,14 μm baserade på 300 mm kiselskivor, som också kallas wafer.