Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
Provided are: a group-iii nitride epitaxial substrate that has reduced warping after forming a primary laminate and that has increased pressure resistance in the longitudinal direction; and a method for producing same.
French[fr]
La présente invention a trait : à un substrat épitaxial de nitrure de groupe III qui est doté d'un gauchissement réduit après la formation d'un stratifié primaire et qui est pourvu d'une résistance à la pression accrue dans la direction longitudinale ; et à un procédé de production dudit substrat.
Japanese[ja]
主積層体を形成した後の反りを低減し、かつ、縦方向耐圧を向上したIII族窒化物エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。 本発明のIII族窒化物エピタキシャル基板10は、Si基板11と、該Si基板11と接する初期層14と、該初期層14上に形成され、AlαGa1-αN(0.5<α≦1)からなる第1層15A1(15B1)およびAlβGa1-βN(0<β≦0.