Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
One or more method embodiments include forming an opening in a stack having a silicon material and an oxide material on the silicon material, and forming an oxide material in the opening adjacent the silicon material, wherein the oxide material formed in the opening confines filament formation in the resistive memory cell to an area enclosed by the oxide material formed in the opening.
French[fr]
Un ou plusieurs modes de réalisation d'un procédé selon l'invention comprennent les étapes consistant à former une ouverture dans un empilement comprenant un matériau à base de silicium et un matériau à base d'oxyde sur le matériau à base de silicium, et à former un matériau à base d'oxyde dans l'ouverture au voisinage du matériau à base de silicium, le matériau à base d'oxyde formé dans l'ouverture confinant la formation de filaments dans la cellule de mémoire résistive à une zone enveloppée par le matériau à base d'oxyde formé dans l'ouverture.