Metadata
Author: EurLex-2
Data
Bulgarian[bg]
Изравнителното мито върху вноса на някои интегрирани електронни микровериги, известни като „DRAM“ (dynamic random access memories — динамични памети за четене и запис с произволен достъп), изработени чрез вариации на процеса метал-оксид-полупроводник (МОП), включително комплементарни видове МОП (КМОП), независимо от техния тип, гъстота, вариант, скорост на достъп, конфигурация, опаковка или носител и т.н., с произход от Република Корея, наложено с Регламент (ЕО) No 1480/2003, се отменя считано от 31 декември 2007 г. и процедурата се прекратява.
Czech[cs]
Vyrovnávací clo uložené z dovozu některých elektronických integrovaných obvodů nazývaných dynamické paměti s libovolným přístupem (DRAMs), vyrobených pomocí variant technologie kovových oxidových polovodičů (MOS), včetně technologie CMOS, všech typů, hustot záznamů, variant, bez ohledu na přístupovou dobu, konfiguraci, obal nebo rám atd. pocházejících z Korejské republiky uložené nařízením (ES) č. 1480/2003 se od 31. prosince 2007 zrušuje a řízení se zastavuje.
Danish[da]
Den endelige udligningstold på importen af visse elektroniske mikrokredsløb, såkaldte DRAMs (dynamic random access memories), fremstillet ved hjælp af forskellige former for MOS-teknologi (Metal Oxide Semiconductor), herunder supplerende MOS-typer (CMOS), af samtlige typer, tætheder, varianter, adgangshastighed, konfiguration, pakning eller ramme osv., med oprindelse i Republikken Korea, der blev indført ved Rådets forordning (EF) nr. 1480/2003, ophæves med virkning fra den 31. december 2007, og proceduren afsluttes.
German[de]
Der mit der Verordnung (EG) Nr. 1480/2003 des Rates eingeführte Ausgleichszoll auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, sogenannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Typen, Speicherdichten, Varianten, Zugriffsgeschwindigkeiten, Konfigurationen, Gehäuse oder Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea wird mit Wirkung vom 31. Dezember 2007 aufgehoben, und das Verfahren wird eingestellt.
Greek[el]
Ο αντισταθμιστικός δασμός που επιβλήθηκε στις εισαγωγές ορισμένων ηλεκτρονικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων γνωστών ως DRAM (δυναμικές μνήμες τυχαίας προσπέλασης), που κατασκευάζονται με παραλλαγές της τεχνολογίας ημιαγωγών μεταλλικών οξειδίων (MOS), συμπεριλαμβανομένων συμπληρωματικών τύπων MOS (CMOS), όλων των τύπων, πυκνοτήτων, παραλλαγών, ταχύτητας προσπέλασης, διαμόρφωσης, περιβλήματος ή πλαισίου κ.λπ., καταγωγής Δημοκρατίας της Κορέας, βάσει του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 1480/2003 καταργείται από τις 31 Δεκεμβρίου 2007 και η διαδικασία περατώνεται.
English[en]
The countervailing duty imposed on imports of certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame etc., originating in the Republic of Korea imposed by Regulation (EC) No 1480/2003 is repealed as of 31st December 2007 and the proceeding is terminated.
Spanish[es]
Queda derogado el derecho compensatorio impuesto sobre las importaciones procedentes de la República de Corea de determinados circuitos integrados electrónicos conocidos como memorias dinámicas de acceso aleatorio (DRAM) fabricados utilizando variedades del proceso tecnológico con semiconductores de óxido metálico llamado MOS, incluidos tipos de MOS complementarios (CMOS), de todos los tipos, densidades, variedades, velocidad de acceso, configuración, embalaje o soporte, etc., impuestos por el Reglamento (CE) no 1480/2003 y se da por concluido el procedimiento.
Estonian[et]
Käesolevaga tühistatakse määrusega (EÜ) nr 1480/2003 kehtestatud tasakaalustav tollimaks selliste Korea Vabariigist pärinevate dünaamiliste muutmäludena (DRAM) tuntud teatavate elektrooniliste mikrolülituste impordi suhtes, mis on toodetud erinevaid metalloksiidpooljuhtide (MOS) tootmistehnoloogiaid kasutades, kaasa arvatud komplementaarse metalloksiidränistruktuuri (CMOS) tüübid, sõltumata tüübist, tihedusest, variatsioonidest, pöörduskiirusest, konfiguratsioonist, kiibikestast või raamist jne, ning lõpetatakse menetlus.
Finnish[fi]
Kumotaan 31 päivästä joulukuuta 2007 alkaen asetuksella (EY) N:o 1480/2003 käyttöön otettu tasoitustulli tuotaessa yhteisöön tiettyjä Korean tasavallasta peräisin olevia dynaamisiksi hakumuisteiksi (DRAMit) kutsuttuja elektronisia mikropiirejä, jotka on valmistettu käyttäen metallioksidipuolijohdeteknologian (MOS-teknologian) muunnelmia, mukaan lukien komplementaariset MOS-tyypit (CMOS), kaikkina tyyppeinä, tiheyksinä, muunnelmina, ja riippumatta hakunopeudesta, konfiguroinnista, pakkauksesta, kehyksestä tai muista vastaavista seikoista, ja päätetään menettely.
French[fr]
Le droit compensateur sur les importations de certains circuits électroniques intégrés dits «DRAM» (dynamic random access memories ( mémoires dynamiques à accès aléatoire) fabriqués à l’aide de variantes du procédé métal-oxyde-semiconducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), de tous types, densités et variantes, quels que soient leur vitesse d’accès, leur configuration, leur mode de conditionnement ou leur support, etc., originaires de la République de Corée, institué par le règlement (CE) n° 1480/2003 est supprimé à compter du 31 décembre 2007 et la procédure est close.
Hungarian[hu]
Az 1480/2003/EK rendelettel a Koreai Köztársaságból származó egyes, dinamikus véletlen hozzáférésű memória (DRAM) néven ismert, a fémoxid félvezető (MOS) gyártási technológia változatai, köztük komplementer MOS (CMOS) technológiák révén előállított elektronikus integrált áramkörökre – azok típusától, sűrűségétől, változatától, hozzáférési sebességétől, konfigurációjától, tokozásától vagy adattovábbító blokkjától stb. függetlenül – kivetett végleges kiegyenlítő vám 2007. december 31-ével hatályát veszti, az eljárás pedig befejeződik.
Italian[it]
Il dazio compensativo sulle importazioni di alcuni circuiti integrati elettronici, detti DRAM (Dynamic Random Access Memories — Memorie dinamiche ad accesso casuale), costruiti utilizzando varianti della tecnologia di processo MOS (semiconduttori ad ossido di metallo) e tipi complementari di MOS (CMOS), di ogni tipo, densità, variante, velocità di accesso, configurazione, confezione o supporto, ecc., originarie della Repubblica di Corea, istituito dal regolamento (CE) n. 1480/2003, è abrogato a partire da 31 dicembre 2007 e il procedimento è chiuso.
Lithuanian[lt]
Reglamentu (EB) Nr. 1480/2003 nustatytas kompensacinis muitas tam tikriems Korėjos Respublikos kilmės visų tipų, tankių, variantų, prieigos greičių, konfigūracijos, pakuotės ar rėmo ir t. t. importuojamiems elektroniniams integriniams grandynams, vadinamiems dinaminės laisvosios kreipties atmintinėmis (DRAM), gaminamiems naudojant metalų oksidų puslaidininkių (MOP) proceso technologijos variantus, įskaitant papildomus MOP tipus (PMOP), nuo 2007 m. gruodžio 31d. yra panaikinamas, o tyrimas nutraukiamas.
Latvian[lv]
Kompensācijas maksājums, kas noteikts ar Regulu (EK) Nr. 1480/2003 un ko iekasē par dažu Korejas izcelsmes integrēto elektronisko mikroshēmu, proti, dinamiskās brīvpiekļuves atmiņas (DRAM), ievedumiem; minētie ražojumi var būt jebkādā veidā, ar jebkādu blīvumu, lai kāds būtu to variants, piekļuves ātrums, konfigurācija, iepakojums vai rāmis utt., un tie ir izgatavoti, izmantojot metālu oksīdu pusvadītāju ( MOS ) apstrādes tehnoloģiju variantus, tostarp komplementārā MOS ( CMOS ) veidus, ir atcelts no 2007. gada 31. decembra, un procedūra ir pārtraukta.
Maltese[mt]
Id-dazju kompensatorju impost fuq l-importazzjoni ta’ xi ċirkwiti elettroniċi integrati magħrufa bħala Memorji Dinamiċi b'Aċċess Każwali – Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manifatturati bl-użu ta’ varjazzjonijiet tat-teknoloġija tal-proċess tas-semikondutturi ta’ l-ossidu tal-metall (MOS), inkluż tipi ta’ MOS kumplimentarji (CMOS), ta’ kull tip, densità, varjazzjoni, aċċess, veloċità, konfigurazzjoni, ippakkjar jew qafas, eċċ., li joriġinaw fir-Repubblika tal-Korea impost mir-Regolament (KE) Nru 1480/2003 huwa mħassar sa mill-31 ta’ Diċembru 2007 u l-proċediment huwa mitmum.
Dutch[nl]
Het krachtens Verordening (EG) nr. 1480/2003 ingestelde compenserende recht op bepaalde elektronische geïntegreerde schakelingen, zogeheten DRAM's, vervaardigd met behulp van varianten van de metaaloxidehalfgeleider-(MOS)-technologie, zoals complementaire MOS-types (CMOS), van alle soorten, dichtheden, varianten, toegangssnelheden, configuraties, behuizingen en frames, van oorsprong uit de Republiek Korea, wordt per 31 december 2007 ingetrokken en de desbetreffende procedure wordt beëindigd.
Polish[pl]
Niniejszym podejmuje się decyzję o zakończeniu postępowania i uchyleniu od dnia 31 grudnia 2007 r. cła wyrównawczego nałożonego rozporządzeniem (WE) nr 1480/2003 na przywóz niektórych elektronicznych układów scalonych znanych jako pamięć DRAM (pamięć dynamiczna o dostępie bezpośrednim) wykonanych z zastosowaniem odmian procesu technologicznego metal-tlenek-półprzewodnik (MOS), włączając typy komplementarne MOS (CMOS), wszystkich typów, gęstości, odmian, bez względu na szybkość dostępu, konfigurację, obudowę lub obramowanie itp. pochodzących z Republiki Korei.
Portuguese[pt]
O direito de compensação sobre as importações de certos microcircuitos electrónicos conhecidos por DRAM (memórias dinâmicas de acesso aleatório) fabricados através da utilização de variantes da transformação de semicondutores de óxidos metálicos (MOS), incluindo tipos de MOS complementares (CMOS), de todas as densidades (incluindo densidades futuras), independentemente da velocidade de acesso, configuração, montagem ou cápsula, etc., originários da República da Coreia, instituído pelo Regulamento (CE) n.o 1480/2003, é revogado a partir de 31 de Dezembro de 2007 e encerrado o processo.
Romanian[ro]
Taxa compensatorie definitivă la importurile anumitor tipuri de circuite electronice integrate, cunoscute ca DRAM (dynamic random access memories – memorii dinamice cu acces aleatoriu) fabricate prin variante ale procedeului metal – oxid – semiconductor (MOS), inclusiv anumite tipuri de MOS complementar (CMOS), de orice tip, densitate și variantă, indiferent de viteza de acces, configurație, mod de ambalare sau suport etc., originare din Republica Coreea instituită de Regulamentul (CE) nr. 1480/2003 se abrogă începând cu 31 decembrie 2007 și procedura este încheiată.
Slovak[sk]
Vyrovnávacie clo uložené na dovoz niektorých elektronických integrovaných obvodov známych ako dynamické pamäte s priamym prístupom (DRAM) vyrobených s využitím rôznych druhov technológie vytvárania polovodičovej štruktúry na základe oxidov kovov (MOS) vrátane doplnkových typov MOS (CMOS), všetkých typov, hustôt, druhov, rýchlostí prístupu, konfigurácií, balení alebo rámov atď. s pôvodom v Kórejskej republike nariadením (ES) č. 1480/2003 sa zrušuje s účinnosťou od 31. decembra 2007 a konanie sa ukončuje.
Slovenian[sl]
Z Uredbo (ES) št. 1480/2003 se z 31. decembrom 2007 razveljavi izravnalna dajatev, uvedena na uvoz nekaterih elektronskih integriranih vezij, znanih kot DRAM, proizvedenih z uporabo različic procesne tehnologije kovinskooksidnih polprevodnikov (MOS), vključno z dopolnilnimi vrstami MOS (CMOS), vseh vrst, gostot, različic, ne glede na hitrost dostopa, konfiguracijo, paket ali okvir itd., s poreklom iz Republike Koreje, postopek pa se zaključi.
Swedish[sv]
Den utjämningstull som infördes genom förordning (EG) nr 1480/2003 på import av vissa elektroniska mikrokretsar kända under namnet dynamiska ram-minnen, tillverkade med hjälp av olika varianter av metalloxidhalvledarteknik (MOS) inbegripet komplementära MOS-typer (CMOS), av alla typer, tätheter och variationer, oavsett åtkomsttid, konfiguration, ramar eller kapsling m.m., med ursprung i Sydkorea ska upphöra att gälla med verkan från och med den 31 december 2007, och förfarandet ska avslutas.