Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
Provided is a method for reducing variations in the forward voltage (Vf) of an n-type semiconductor wafer in which the density of impurities included in the n-layer varies in a plan view of the semiconductor wafer.
French[fr]
L'invention concerne un procédé de réduction des écarts affectant la tension directe (Vf) d'un semi-conducteur étagé dopé N dans lequel la densité des impuretés incluses dans la couche dopée N varie dans l'étendue d'une vue en plan du semi-conducteur étagé.
Japanese[ja]
N型の半導体ウエハであって半導体ウエハの平面視においてN層に含まれている不純物の密度がばらついている半導体ウエハの順電圧Vfのばらつきを低減する方法を提供する。