Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
In the first step (step 1), the substrate to be processed is conveyed into a processing container, TiCl4 gas and a nitriding gas are fed into the processing container, the interior of which being kept in a depressurized state during this time, and a plasma from the gases is generated to form a unitary TiN film.
French[fr]
Dans la première étape (étape 1), le substrat à traiter est transporté dans un récipient de traitement, du gaz TiCl4 et un gaz de nitruration sont introduits dans le récipient de traitement, dont l'intérieur est maintenu dans un état dépressurisé pendant cette période de temps, et un plasma à partir des gaz est généré pour former un film en étain unitaire.
Japanese[ja]
被処理基板に形成されたエッチング対象膜をエッチングするためのメタルハードマスクとして成膜されるTiN膜を成膜するにあたり、被処理基板を処理容器内に搬入し、処理容器内を減圧状態に保持した状態で、TiCl4ガスおよび窒化ガスを処理容器内に供給し、これらガスのプラズマを生成してTiN単位膜を形成する工程(ステップ1)と、処理容器内に窒化ガスを供給し、そのガスのプラズマを生成してTiN単位膜にプラズマ窒化処理を施す工程(ステップ2)とを交互に複数回繰り返し、膜ストレスが低減されたTiN膜を成膜する。