Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
The polishing liquid for CMP comprises abrasive grains, additives, and water, wherein the abrasive grains include cerium particles and the additives include a 4-pyrone compound represented by general formula (1) and at least one selected from a nonionic surfactant and a cationic surfactant.
French[fr]
Le liquide de polissage pour planarisation chimico-mécanique comprend des grains abrasifs, des additifs et de l'eau, lesdits grains abrasifs comprenant des particules de cérium et les additifs comprenant un composé de 4-pyrone, représenté par la formule générale (1), et un tensioactif non ionique et/ou un tensioactif cationique.
Japanese[ja]
本発明のCMP用研磨液は、砥粒と、添加剤と、水とを含有するCMP用研磨液であって、砥粒は、セリウム系粒子を含み、添加剤は、一般式(1)で表される4-ピロン系化合物、並びに非イオン性の界面活性剤及びカチオン性の界面活性剤のうちの少なくとも一方を含む。[