Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
According to the invention, the semiconductor material has the general formula Mx Cd1-X Te1-y Ay:Dz, with: M chosen from the HB or VIIB groups of the periodic table; A chosen from the VIA group of the periodic table; and D, a doping agent chosen from the elements in groups IIIA or VA of the periodic table, and where x and y vary between 0 and 1 such that the semiconductor prohibited energy band varies between 1.5 and 2.4 eV, the concentration z of the doping agent D being from 1015 to 1020 atoms/cm3.
Spanish[es]
El material semiconductor según la invención tiene formula general Mx Cd1-X Te1-y Ay:Dz, siendo, M, elegido de los grupos HB ó VIIB de la tabla periódica; A, es elegido del grupo VIA de la tabla periódica, y D, un dopante elegido entre elementos de los grupos IIIA ó VA de la tabla periódica, y donde x e y varían entre 0 y 1 para que la banda de energía prohibida del semiconductor varié entre 1,5 y 2,4 eV, encontrándose la concentración z del dopante D de 1015 a 1020 átomos/cm3.
French[fr]
Le matériau semi-conducteur selon l'invention est représenté par la formule générale suivante: Mx Cd1-X Te1-y Ay:Dz, M étant choisi dans les groupes HB ou VIIB de la tableau périodique; A étant choisi dans le groupe VIA de la table périodique et D étant un dopant choisi entre des éléments des groupes IIIA ou VA de la table périodique; x et y étant compris entre 1,5 et 2,4 eV, la concentration z du dopant D étant comprise entre 1015 et 1020 atomes/cm3.