Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
This method for producing a silicon wafer is characterized in that hydrogen ions are injected from the front surface of the silicon wafer at a dosage of 1.0×1013 to 3.0×1016 atoms/cm2, and a gettering layer is formed from a solid solution of the hydrogen ions.
French[fr]
Ce procédé permettant de produire une tranche de silicium est caractérisé en ce que des ions hydrogène sont injectés depuis la surface avant de la tranche de silicium à un dosage compris entre 1,0 × 1013 et 3,0 × 1016 atomes/cm2, et une couche de getterisation est formée à partir d'une solution solide des ions hydrogène.
Japanese[ja]
本発明のシリコンウェーハの製造方法は、シリコンウェーハのおもて面から水素イオンを1. 0×1013~3.0×1016atoms/cm2のドーズ量で注入して、前記水素イオンが固溶してなるゲッタリング層を形成することを特徴とする。