Besonderhede van voorbeeld: 575510433616378342

English

The field-effect transistor was first patented by Julius Edgar Lilienfeld in 1925 and by Oskar Heil in 1934, but practical semi-conducting devices (the JFET) were only developed much later after the transistor effect was observed and explained by the team of William Shockley at Bell Labs in 1947.

Spanish

3 Características 4 El transistor de efecto de campo fue patentado por Julius Edgar Lilienfeld en 1925 y por Oskar Heil en 1934, pero los dispositivos semiconductores fueron desarrollados en la práctica mucho después, en 1947 en los Laboratorios Bell, cuando el efecto transistor pudo ser observado y explicado.