Besonderhede van voorbeeld: 5843227684236355896

Bulgarian

Бележка: 3E003.b. не контролира технологии за транзистори с висока мобилност на електроните (НЕМТ/ТВМЕ), работещи при честоти, по-ниски от 31,8 GHz, и хетеросвързани биполярни транзистори (НВТ/ХБТ), работещи при честоти, по-ниски от 31,8 GHz.

Czech

Poznámka: Položka 3E003.b. nezahrnuje „technologie“ pro tranzistory s vysokou pohyblivostí elektronů (HEMT), které pracují při frekvencích nižších než je 31,8 GHz, a pro heteropřechodné bipolární tranzistory (HBT), které pracují při frekvencích nižších než 31,8 GHz.

Danish

Note: 3E003.b lægger ikke eksportkontrol på »teknologi« til transistorer med høj elektronmobilitet (HEMT), der opererer ved frekvenser på under 31,8 GHz, og heterobipolære transistorer (HBT), der opererer ved frekvenser på under 31,8 GHz.

German

Anmerkung: Nummer 3E003b erfasst nicht „Technologie“ für HEMT (high electron mobility transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz sowie HBT (hetero-bipolar transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz.

Greek

Σημείωση: Στο σημείο 3Ε003.β. δεν υπάγεται η «τεχνολογία» για τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων (ΗΕΜΤ) που λειτουργούν σε συχνότητες κάτω των 31,8 GHz και για ετεροδιπολικά τρανζίστορ (ΗΒΤ) που λειτουργούν σε συχνότητες κάτω των 31,8 GHz.

English

Note: 3E003.b. does not control ‘technology’ for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.

Spanish

Nota: El subartículo 3E003.b.. no somete a control la«tecnología»para los transistores de alta movilidad de electrones (<HEMT>) que funcionen a frecuencias inferiores a 31,8 GHz y los transistores bipolares de heterounión (<HBT>) que funcionen a frecuencias inferiores a 31,8 GHz.

Estonian

Märkus: Punkt 3E003.b ei hõlma suure liikuvusega elektronidega transistoride „tehnoloogiat”, mis töötavad sagedustel alla 31,8 GHz ja heterosiirdega bipolaarsete transistoride tehnoloogiat, mis töötavad sagedustel alla 31,8 GHz.

Finnish

Huom.: 3E003.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi ”teknologiaa” alle 31,8 GHz:n taajuuksilla toimivia HEMT-transistoreja varten ja alle 31,8 GHz:n taajuuksilla toimivia heteroliitosbipolaaritransistoreja (HBT) varten.

French

Note: L'alinéa 3E003.b. ne vise pas les «technologies» pour les transistors à haute mobilité d'électrons (HEMT) fonctionnant à des fréquences inférieures à 31,8 GHz et les transistors hétéro-bipolaires (HBT) fonctionnant à des fréquences inférieures à 31,8 GHz.

Hungarian

Megjegyzés: A 3E003.b. nem vonja ellenőrzés alá a 31,8 GHz-nél alacsonyabb frekvencián működő nagy elektronmozgékonyságú tranzisztorokra (HEMT) és a 31,8 GHz-nél alacsonyabb frekvencián működő hetero-bipoláris tranzisztorokra (HBT) vonatkozó technológiákat.

Italian

Nota: 3E003.b. non sottopone ad autorizzazione la «tecnologia» per transistori ad elevata mobilità di elettroni (HEMT) in grado di funzionare a frequenze inferiori a 31,8 GHz e per transistori bipolari ad eterogiunzione (HBT) in grado di operare a frequenze inferiori a 31,8 GHz.

Lithuanian

Pastaba. 3E003.b. netaikoma „technologijai“, skirtai didelio elektronų judrio tranzistoriams (HEMT), veikiantiems žemesniais negu 31,8 GHz dažniais, ir įvairiatarpiams dvipoliams tranzistoriams (HBT), veikiantiems žemesniais negu 31,8 GHz dažniais.

Latvian

Piezīme. Saskaņā ar 3E003.b. kontroli neattiecina uz “tehnoloģiju”, kas saistīta ar augsta elektronu kustīguma tranzistoriem (HEMT), kuru darba frekvences ir zemākas par 31,8 GHz, un heterobipolārie tranzistori (HBT), kuru darba frekvences ir zemākas par 31,8 GHz.

Maltese

Nota: 3E003.b. ma jikkontrollax “teknoloġija” għal transisters b'mobbiltà għolja tal-elettroni (HEMT) li jaħdmu fi frekwenzi aktar baxxi minn 31,8 GHz u transisters bipolari eteroġonta (HBT) li jaħdmu fi frekwenzi aktar baxxi minn 31,8 GHz.

Dutch

Noot: In 3E003.b is niet bedoeld „technologie” voor hoge-elektronenmobiliteit-transistoren (HEMT) werkende bij frequenties van minder dan 31,8 GHz en hetero-junction bipolaire transistoren (HBT) werkende bij frequenties van minder dan 31,8 GHz.,

Polish

Uwaga: Pozycja 3E003.b. nie obejmuje kontrolą „technologii” dla tranzystorów o wysokiej ruchliwości elektronów (HEMT), pracujących na częstotliwościach niższych od 31,8 GHz oraz tranzystorów heterobipolarnych (HBT), pracujących na częstotliwościach niższych od 31,8 GHz.

Portuguese

Nota: 3E003.b. não abrange a «tecnologia» para transístores de elevada mobilidade electrónica (HEMT) que funcionem a frequências inferiores a 31,8 GHz nem para transístores bipolares de hetero-junção (HBT) que funcionem a frequências inferiores a 31,8 GHz.

Romanian

Notă: 3E003.b. nu supune controlului „tehnologia” pentru tranzistoarele cu mobilitate electronică mare (HEMT) care funcționează la frecvențe mai mici de 31,8 GHz și tranzistoarele hetero-joncțiune bipolare (HBT) care funcționează la frecvențe mai mici de 31,8 GHz.

Slovak

Poznámka: Podľa 3E003.b. sa neriadi „technológia“ pre tranzistory s vysokou pohyblivosťou elektrónov (HEMT), ktoré pracujú pri frekvenciách nižších ako 31,8 GHz a pre heteroprechodné bipolárne tranzistory, ktoré pracujú pri frekvenciách nižších ako 31,8 GHz.

Slovenian

Opomba: Predmet nadzora v točki 3E003(b) ni „tehnologija“ za tranzistorje z visoko mobilnostjo elektronov (HEMT), ki delujejo na frekvencah, nižjih od 31,8 GHz in heter-bipolarne tranzistorje (HBT), ki delujejo na frekvencah, nižjih kot 31,8 GHz.

Swedish

Anm.: Avsnitt 3E003.b omfattar inte ”teknik” för transistorer med hög elektronrörlighet (HEMT) som arbetar vid frekvenser under 31,8 GHz och hetero-bipolära transistorer (HBT) som arbetar vid frekvenser under 31,8 GHz.