Besonderhede van voorbeeld: 5851562864085167328

Metadata

Author: patents-wipo

Data

English[en]
Gallium indium nitride arsenide hetero-field-effect transistor, its manufacturing method, and transmitter/receiver using same
French[fr]
Transistor a effet de champ a heterojonctions d'arseniure de nitrure d'indium et de gallium, son procede de fabrication, et emetteur/recepteur mettant en oeuvre un tel transistor
Japanese[ja]
窒化砒化ガリウムインジウム系ヘテロ電界効果トランジスタ及びその製造方法並びにそれを用いた送受信装置

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