Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
Accordingly, the nonvolatile memory device of the present invention does not use tunneling during programming and changes the resistance state of the threshold voltage switching material into a low resistance state in order to run a program.
French[fr]
En conséquence, le dispositif de mémoire non volatile selon la présente invention n'utilise pas d'effet tunnel durant la programmation, et fait passer l'état de résistance du matériau à commutation par tension de seuil à un état de faible résistance afin d'exécuter un programme.
Korean[ko]
본 발명은 종래의 SONOS 구조의 비휘발성 메모리 소자의 블로킹 절연막을, 평상시에 고저항 상태를 유지하다가 문턱전압 이상의 전압이 인가되는 동안에만 저저항 상태로 변화되고 인가되는 전압을 제거하면 다시 고저항 상태로 환원되는 문턱전압 스위칭 물질로 대체하고, 게이트 전극층에 문턱 전압 이상의 전압 펄스를 인가하여, 게이트 전극층으로부터 문턱전압 스위칭 물질로 이루어진 절연막을 통해서 전하 포획층으로 전하를 주입하여 프로그램을 수행한다.