Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
A resist (2) exposed to a micron or sub-micron pattern of highly absorbed radiation (3) such as far UV, ion beam, or low energy electrons, forms a highly crosslinked barrier layer (6) in the exposed regions of the resist surface.
French[fr]
L'invention utilise une réserve (2) qui, lorsqu'elle est exposée à un rayonnement fortement absorbé (3), tel que des ultraviolets lointains, des faisceaux d'ions ou des électrons de faible énergie, dont la structure produit des motifs de l'ordre du micron ou du sous-micron, forme une couche de barrière hautement réticulée (6) dans les régions exposées de la surface de la réserve.