Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
Specifically, a large-sized bulk silicon carbide (SiC) crystal of high quality can be obtained at low temperatures by reacting carbon (C), which is produced from a lithium carbide such as dilithium acetylide (Li2C2), with silicon (Si) in an alkali metal melt, thereby producing or growing a silicon carbide (SiC) crystal.
French[fr]
Spécifiquement, on peut obtenir un cristal de carbure de silicium (SiC) en vrac de grandes dimensions et de haute qualité à basses températures en mettant en réaction du carbone (C), qui est produit à partir d'un carbure de lithium comme l'acétylure de dilithium (Li2C2), avec du silicium (Si) dans un produit de fusion de métal alcalin, pour ainsi obtenir ou cultiver un cristal de carbure de silicium (Sic).
Japanese[ja]
アルカリ金属融液中において、2リチウムアセチリド(Li2C2)等の炭化リチウムから生成した炭素(C)とシリコン(Si)とを反応させることにより、炭化珪素(SiC)結晶を生成若しくは成長させることにより、高品質でバルク状の大きな炭化珪素(SiC)結晶を低温で得ることができる。