Besonderhede van voorbeeld: 6157855631132602809

Danish

HM 50256 P 51 C 256 P 51 C 259 eller - andre identifikationsmaerker vedroerende anordninger, som opfylder ovennaevnte beskrivelse 0 ex 8542 11 71 Dynamiske Random Acces Memories, fremstillet ved N-MOS ( herunder H-MOS) teknologi ( N-MOS-D-RAMs ), i form af et monolitisk integreret kredsloeb, med en lagerkapacitet paa 64 K×4 bits, indkapslet i en ramme, hvis ydre dimensioner ikke overstiger 17×34 mm, forsynet med hoejst 20 tilledninger arrangeret i to parallelle raekker ( dual in-line pakning ), og - et identifikationsmaerke bestaaende af eller indeholdende en af foelgende tal - og bogstavkombinationer :

German

0 ex 8542 11 71 Dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt ( sogenannte N/H-MOS-RAMs, dynamisch ), in Form einer monolithischen inte - grierten Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 64 K×4 bit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 20 parallelen Anschlußstiften ( Dual-in-Line ) und den Abmessungen von nicht mehr als 17×34 mm .

Greek

P 51 C 256 HM 50256 P 51 C 259 ή - άλλα διακριτικά σήματα που αφορούν διατάξεις που ανταποκρίνονται στην ανωτέρω περιγραφή 0 εχ^8542^11^71 Δυναμική μνήμη ανάγνωσης-γραφής τυχαίας πρόσβασης, τεχνολογίας N-MOS ( που περιλαμβάνει και H-MOS ) ( N-MOS-D-RAM ) με τη μορφή ολοκληρωμένου μονολιθικού κυκλώματος, ικανότητας απομνημόνευσης 64 Kbitsx4, τοποθετημένη σε περίβλημα εξωτερικών διαστάσεων που δεν υπερβαίνουν τα 17x34 mm, που περιέχει το πολύ 20 ακίδες ή σημεία σύνδεσης τοποθετημένες παράλληλα ( dual in line ) και φέρει :

English

HM 50256 P 51 C 256 P 51 C 259 or - other identification markings relating to devices complying with the abovementioned description 0 ex 8542 11 71 Dynamic random-access read/write memory of N-MOS (including H-MOS) technology (N-MOS D-RAMs), with a storage capacity of 64 K×4 bits, in the form of a monolithic integrated circuit, contained in a housing the exterior dimensions of which do not exceed 17×34 mm, with not more than 20 connecting pins arranged in two parallel lines (dual-in-line package) and bearing:

Spanish

P 51 C 256 HM 50256 P 51 C 259 u - otras siglas de identificación relacionadas con memorias que concuerden con la presente descripción 0 ex 8542 11 71 Memoria dinámica de lectura-escritura de acceso aleatorio, realizada en tecnología N-MOS (incluida la tecnología H-MOS), en forma de circuito integrado monolítico, con una capacidad de almacenamiento de 64 K × 4 bits, encerrada en una cápsula cuyas dimensiones exteriores no excedan de 17×34 mm, provista de un máximo de 20 patillas de conexión dispuestas en dos filas paralelas (dual in line) y de:

French

HM 50256 P 51 C 256 P 51 C 259 ou - d'autres sigles d'identification se rapportant à des mémoires qui satisfont à la présente description 0 ex 8542 11 71 Mémoire dynamique à lecture-écriture à accès aléatoire, réalisée en technologie N-MOS ( y compris H-MOS ), sous forme de circuit intégré monolithique, d'une capacité de mémorisation de 64 K×4 bits, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 17×34 mm, comportant au maximum 20 broches de connexion disposées en 2 rangées parallèles ( dual in line ) et portant :

Italian

HM 50256 P 51 C 256 P 51 C 259 - oppure altra sigla di identificazione relativa a memoria D/RAM-C/MOS avente le caratteristiche sopra descritte 0 ex 8542 11 71 Memoria dinamica di lettura e scrittura a libero accesso (D/RAM) realizzata in tecnologia N/MOS (compresa H/MOS), con capacità di memorizzazione di 64 K × 4 bits sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 17×34 mm, con al massimo 20 spinotti di connessione disposti su due lati paralleli (dual in line) e sul quale contenitore è riportata:

Dutch

P 51 C 256 P 51 C 259 HM 50256 of - een andere codering die betrekking heeft op een "CMOS-DRAM'' die voldoet aan vorenstaande omschrijving 0 ex 8542 11 71 Dynamische willekeurig toegankelijke lees/schrijfgeheugens, vervaardigd volgens de NMOS - of HMOS-techniek ( N/H-MOS Dynamic Random Access Memories, zogenaamde "N/H-MOS-DRAM's ''), met een capaciteit van 64 K×4 bit in de vorm van een monolitische geïntegreerde schakeling, geborgen in een omhulling waarvan de afmetingen niet meer dan 17×34 mm bedragen, met niet meer dan 20 contactpennetjes die op slechts twee, tegenover elkaar liggende, zijden zijn gemonteerd (" dual-in-line '') en voorzien van :