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Author: WikiMatrix
Data
English[en]
A relatively recent FET development, the high-electron-mobility transistor (HEMT), has a heterostructure (junction between different semiconductor materials) of aluminium gallium arsenide (AlGaAs)-gallium arsenide (GaAs) which has twice the electron mobility of a GaAs-metal barrier junction.
Spanish[es]
Un transistor FET de desarrollo relativamente reciente, el transistor de alta movilidad de electrones (HEMT), tiene una heteroestructura (unión entre diferentes materiales semiconductores) de arseniuro de galio-aluminio (AlGaAs)-arseniuro de galio (GaAs), que tiene el doble de la movilidad de los electrones que una unión de barrera GaAs-metal.