Metadata
Author: EurLex-2
Data
Danish[da]
Teknologien omfatter dels GaAs-homojunction strukturer baseret paa FET , dels GaAs/GaAlAs-heterojunction strukturer , der benytter transistorer med hoej elektronmobilitet ( HEMT ) eller bipolaere heterojunction transistorer .
German[de]
DIE TECHNOLOGIE UMFASST GAAS-HOMÖUBERGANGSSTRUKTUREN AUF FET-BASIS SOWIE GAAS/GAALAS-HETEROÜBERGANGSSTRUKTUREN , IN DENEN DER HEMT ( TRANSISTOR MIT HOHER ELEKTRONENBEWEGLICHKEIT ) ODER DIE BIPOLARE HETEROÜBERGANGSTECHNIK VERWENDET WERDEN .
English[en]
THE TECHNOLOGY ENCOMPASSES GAAS HOMOJUNCTION STRUCTURES BASED ON THE FET AS WELL AS GAAS/GAALAS HETEROJUNCTION STRUCTURES USING THE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR ( HEMT ) OR THE HETEROJUNCTION BIPOLAR .
French[fr]
LA TECHNOLOGIE COUVRE DES STRUCTURES ASGA A HOMOJONCTION UTILISANT LE FET , ET DES STRUCTURES A HETEROJONCTION ASGA/ASGAAL UTILISANT LE TRANSISTOR A HAUTE MOBILITE ELECTRONIQUE ( HEMT ) OU LE TRANSISTOR BIPOLAIRE HETEROJONCTION .
Italian[it]
La relativa tecnologia comprende sia le strutture con omogiunzioni a GaAs basate sui FET sia strutture con eterogiunzioni a GaAs/GaAIAs utilizzanti transistori ad elevata mobilità degli elettroni ( HEMT ) o bipolari a eterogiunzione .
Dutch[nl]
De technologie behelst GaAs homojunctiestructuren gebaseerd op de FET en GaAs/GaAlAs heterojunctiestructuren op basis van de hoge-elektronenmobiliteit-transistor ( HEMT ) of de heterojunctie bipolaire schakeling .