Metadata
Author: WikiMatrix
Data
English[en]
The change in slope of the pinched hysteresis curves demonstrates switching between different resistance states which is a phenomenon central to ReRAM and other forms of two-terminal resistance memory.
Spanish[es]
El cambio de la pendiente de las curvas de histéresis demuestra que existe conmutación entre diferentes estados resistivos, que es un fenómeno central para las RRAM y otras formas de memoria resistiva de dos terminales.