Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
The invention comprises the use of a high-performance cell Gm (2') formed by five CMOS transistors, four (M'1-M'4) of which are disposed symmetrically in pairs excited by a pair of current sources (l'1, I'2), while the fifth CMOS transistor (M'5) is excited by another current source (I'3).
Spanish[es]
Se emplea una celda Gm de alto rendimiento (2') formada por cinco transistores CMOS, cuatro de ellos (M'1-M'4) dispuestos simétricamente dos a dos excitados por un par de fuentes de intensidad (l'1, I'2), y el quinto transistor CMOS (M'5), excitado por otra fuente de intensidad (I'3).
French[fr]
L'invention fait appel à une cellule Gm à haut rendement (2') formée de cinq transistors CMOS, dont quatre (M'1-M'4) sont disposés symétriquement deux à deux et sont excités par une paire de sources d'intensité (l'1, I'2), le cinquième transistor CMOS (M'5) étant excité par une autre source d'intensité (I'3).