Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
According to the present invention, the electron beam irradiated onto the silicon thin film deposited on the substrate via the supplied silicon source provides the silicon thin film with energy in-situ to thereby crystallize the silicon thin film in-situ, or an electron beam and an ion beam are irradiated as a post-treatment after the formation of an amorphous silicon thin film to thereby crystallize the silicon thin film.
French[fr]
Selon la présente invention, la couche mince de silicium déposée sur le substrat à partir de la source de silicium est irradiée avec le faisceau d'électrons, ce qui confère à la couche mince de silicium de l'énergie in situ, laquelle entraîne la cristallisation in situ de la couche mince de silicium, ou une irradiation avec un faisceau d'électrons et un faisceau d'ions est effectuée comme post-traitement après la formation du couche mince de silicium amorphe, afin de cristalliser la couche mince de silicium.
Korean[ko]
본 발명에 의하여, 상기 공급된 실리콘 소스에 의해 상기 기판상에 실리콘 박막이 증착되면서 상기 조사된 전자빔이 상기 증착중의 실리콘 박막에 에너지를 공급하여 이 실리콘 박막을 증착공정중에(in-situ) 결정화시키거나, 비정질 실리콘 박막이 형성된 후 후처리로서 전자빔과 이온빔을 조사함으로써 결정화시킬 수 있게 된다.