Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
The cylindrical region (4) is removed such that the shape of the III nitride semiconductor single crystal (2) is constantly axisymmetrical with the center axis of the III nitride semiconductor single crystal (2) as a symmetric axis.
French[fr]
La région cylindrique (4) est enlevée de telle manière que la forme du monocristal semi-conducteur de nitrure III (2) présente une symétrie axiale constante par rapport à l'axe central du monocristal semi-conducteur de nitrure III (2) comme axe de symétrie.
Japanese[ja]
【解決手段】本発明の一態様において、円形の基板1の主面上に、円柱状のIII族窒化物半導体単結晶2をエピタキシャル成長させる工程と、III族窒化物半導体単結晶2の外周縁側の円筒状領域4を除去し、III族窒化物半導体単結晶2の円筒状領域4の内側の円柱状領域3を残す工程と、円筒状領域4を除去した後、円柱状領域3にスライス加工を施す工程と、を含み、円筒状領域4の除去は、III族窒化物半導体単結晶2の形状が常にIII族窒化物半導体単結晶2の中心軸を対称軸とする軸対称性を保つように実施される、半導体基板の製造方法を提供する。