Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
The thin film formation method presented here is based upon a time-divisional process gas supply in a chemical vapor deposition (CVD) method where the process gases are supplied and purged sequentially, and additionally plasma is generated in synchronization with the cycle of pulsing reactant gases.
French[fr]
Ce procédé de formation de film mince est ici fondé sur une alimentation en gaz de transformation à division temporelle, qui se fait dans un procédé de dépôt par évaporation chimique (CVD), selon lequel ces gaz de transformation sont amenés et évacués de manière séquentielle, et, de plus, un plasma est généré en synchronisation avec le cycle d'amenée pulsée de gaz réactifs.