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Author: patents-wipo
Data
English[en]
The nonvolatile memory device of this invention is characterized by comprising a substrate (1), first wiring (3), first fillings (5) that are formed embedded in first through-holes (4), second wiring (11) that is perpendicular to the first wiring (3) and comprises a multiplicity of layers laminated in the order of a resistance change layer (6) of a first resistance change element, conductive layer (7), and a resistance change layer (8) of a second resistance change element, second fillings (14) that are formed embedded in second through-holes (13), and third wiring (15), wherein the conductive layer (7) of the second wiring (11) acts as an electrode for the first resistance change element (9) and acts as an electrode for the second resistance change element (10).
French[fr]
L'invention porte sur un dispositif de mémoire non volatile caractérisé par le fait qu'il comprend un substrat (1), un premier câblage (3), des premiers remplissages (5) qui sont formés incorporés dans des premiers trous traversants (4), un second câblage (11) qui est perpendiculaire au premier câblage (3) et comprend une multiplicité de couches stratifiées dans l'ordre d'une couche à changement de résistance (6) d'un premier élément à changement de résistance, d'une couche conductrice (7) et d'une couche à changement de résistance (8) d'un second élément à changement de résistance, des seconds remplissages (14) qui sont formés incorporés dans des seconds trous traversants (13), et un troisième câblage (15), la couche conductrice (7) du second câblage (11) servant d'électrode pour le premier élément à changement de résistance (9) et servant d'électrode pour le second élément à changement de résistance (10).
Japanese[ja]
本発明の不揮発性記憶装置は、基板(1)と、第1の配線(3)と、第1のスルーホール(4)に埋め込み形成された第1の充填部(5)と、第1の配線(3)と直交しかつ第1の抵抗変化素子の抵抗変化層(6)、導電層(7)、第2の抵抗変化素子の抵抗変化層(8)をこの順に積層された複数層からなる第2の配線(11)と、第2のスルーホール(13)に埋め込み形成された第2の充填部(14)と、第3の配線(15)とを備え、第2の配線(11)の導電層(7)は第1の抵抗変化素子(9)の電極の役割と第2の抵抗変化素子(10)の電極の役割とを果たすことを特徴とするものである。