Besonderhede van voorbeeld: 7201528371108630031

English

The unsealing surface oxidation can be prevented by a thin protective silicon cap on top of the films. The residual stress of the Mo‐Si‐N films sputtered from separate Mo and Si targets depends on the post-deposition annealing temperature, while the Mo‐Si‐N films sputtered from a Mo5Si3 compound target are more resistant to annealing-induced structural changes.

Finnish

Oksidoituminen oli estettävissä ohuella suojaavalla piikerroksella. Erillisistä Mo- ja Si-kohtioista kasvatettujen Mo‐Si‐N–kalvojen jäännösjännitys riippui kuumennuslämpötilasta. Sen sijaan Mo5Si3-yhdistekohtiosta kasvatettujen kalvojen jännitys säilyi kuumennettaessa miltei muuttumattomana.