Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
The high-frequency sputtering device includes a chamber, air exhaust means for discharging air from the chamber, gas introduction means for supplying a gas into the chamber, a substrate holder having a table on which the substrate is mounted, rotation drive means which can rotate the substrate holder, a sputtering cathode characterized in that the surface of the substrate mounting table is not parallel to the surface of the target mounting table, an electrode arranged inside the substrate holder, and a variable impedance mechanism electrically connected to the electrode for adjusting the substrate potential on the substrate holder.
French[fr]
Le dispositif de pulvérisation cathodique à haute fréquence comprend une chambre, des moyens d'évacuation d'air pour décharger de l'air à partir de la chambre, des moyens d'introduction de gaz pour introduire un gaz dans la chambre, un support de substrat comportant une table sur laquelle est monté le substrat, des moyens d'entraînement en rotation qui peuvent faire tourner le support de substrat, une cathode de pulvérisation cathodique caractérisée par le fait que la surface de la table de montage de substrat n'est pas parallèle à la surface de la table de montage cible, une électrode agencée à l'intérieur du support de substrat, et un mécanisme à impédance variable électriquement connecté à l'électrode pour régler le potentiel de substrat sur le support de substrat.
Japanese[ja]
基板電位を調整することで基板に対する自己バイアスの制御を行うために、本発明に従った高周波スパッタリング装置は、チャンバと、チャンバの内部を排気する排気手段と、チャンバ内にガスを供給するガス導入手段と、基板載置台を備える基板ホルダと、基板ホルダを回転させることが可能な回転駆動手段と、ターゲット載置台を備えるスパッタリングカソードであって、基板載置台の表面とターゲット載置台の表面とが非平行となるように配置されることを特徴とするスパッタリングカソードと、基板ホルダ内部に設けられた電極と、電極と電気的に接続されており基板ホルダ上の基板電位を調整する可変インピーダンス機構と、を有する。