Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
Provided is a junction semiconductor device which achieves an improvement in current amplification factor by reducing the probability of recombination of electrons and holes in a neighboring region including a p-type base layer around a p-type base contact region of a BJT.
French[fr]
La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur de jonction qui permet une amélioration du facteur d’amplification de courant par la réduction de la probabilité d’une recombinaison d’électrons et de trous dans une région voisine comprenant une couche de base de type p autour d’une région de contact de base de type p d’un BJT.
Japanese[ja]
BJTのp型ベースコンタクト領域の周囲のp型ベース層等の近傍領域での電子と正孔の再結合確率を低減し、電流増幅率が向上する接合型半導体装置が開示される。