Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
At least one of the two source/drain electrodes (Tr4s, Tr4d) provided in the first transistor of a shift register stage is equipped with a capacitive electrode (CAPm) that faces the gate electrode (Tr4g) of the abovementioned first transistor from the opposite side in the film thickness direction.
French[fr]
Au moins l'une des deux électrodes de source/de drain (Tr4s, Tr4d) d'un premier transistor d'un étage de registre à décalage est munie d'une électrode capacitive (CAPm) faisant face à l'électrode de grille (Tr4g) dudit premier transistor à partir du côté opposé dans la direction de l'épaisseur du film.
Japanese[ja]
シフトレジスタ段の第1のトランジスタが備える2つのソース/ドレイン電極(Tr4s、Tr4d)の少なくとも一方に対して、上記第1のトランジスタのゲート電極(Tr4g)と反対側で膜厚方向に対向する容量電極(CAPm)を備えている。