Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
Provided is a semiconductor material manufacturing method wherein at least one kind of impurity atom selected from among a group of As atom, Sb atom, Bi atom and N atom is reacted with a Ba atom and a Si atom.
French[fr]
L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un matériau semi-conducteur selon lequel au moins une sorte d'atome d'impureté choisie parmi un groupe d'atome d'As, atome de Sb, atome de Bi et atome de N est mise à réagir avec un atome de Ba et un atome de Si.
Japanese[ja]
As原子、Sb原子、Bi原子およびN原子からなる群から選択される少なくとも1種の不純物原子とBa原子とSi原子とを反応させる、半導体材料の製造方法、ならびにこの半導体材料を備える太陽電池。