Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
A laser diode, grown on a miscut nonpolar or semipolar substrate, with lower threshold current density and longer stimulated emission wavelength, compared to conventional laser diode structures, wherein the laser diode's (1) n-type layers are grown in a nitrogen carrier gas, (2) quantum well layers and barrier layers are grown at a slower growth rate as compared to other device layers (enabling growth of the p-type layers at higher temperature), (3) high Al content electron blocking layer enables growth of layers above the active region at a higher temperature, and (4) asymmetric AlGaN SPSLS allowed growth of high Al containing p- AlGaN layers.
French[fr]
Diode laser, tirée sur un substrat non polaire ou semi-polaire à erreur de découpe, présentant une plus faible densité de courant seuil et une plus grande longueur d'onde d'émission stimulée que les structures de diodes laser classiques, et comportant : (1) des couches du type n tirées dans un gaz porteur à l'azote, (2) des couches de puits quantiques et des couches d'arrêt tirées à une vitesse de tirage inférieure à celle associée à d'autres couches de dispositif (permettant le tirage des couches du type p à une température plus élevée), (3) une couche bloquant les électrons à haute teneur en Al permettant le tirage de couches au-dessus de la région active à une température plus élevée, et (4) des SPSL asymétriques à AlGaN permettant le tirage de couches p-AlGaN à forte teneur en Al.