Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
The present invention relates to a method for light sintering a semiconductor oxide ink by a complex light source using intense pulsed light, a near infrared ray and a far ultraviolet ray, the method being capable of annealing and sintering a semiconductor oxide ink for complex light sintering, selectively or for a large area, at room temperature and under atmospheric conditions for a short time of 1 to 100 ms, the semiconductor oxide ink for complex light sintering comprising: a semiconductor oxide selected from strontium titanium oxide (SrTiO3), barium titanium oxide (BaTiO3) or a mixture thereof; and a dispersion stabilizer.
French[fr]
Cette invention concerne un procédé de photofrittage d'une encre à base d'un oxyde semi-conducteur par une source de lumière complexe constituée d'une lumière pulsée intense, de rayons dans l'infrarouge rouge et de rayons dans l'ultraviolet lointain, le procédé étant capable de soumettre à recuit et frittage une encre à base d'un oxyde semi-conducteur pour frittage par lumière complexe, sélectivement ou sur une grande surface, à température ambiante et dans des conditions atmosphériques en un court laps de temps de 1 à 100 ms, l'encre à base d'oxyde semi-conducteur pour frittage par lumière complexe comprenant : un oxyde semi-conducteur choisi parmi l'oxyde de strontium et de titane (SrTiO3), l'oxyde de baryum et de titane (BaTiO3) ou un mélange de ceux-ci ; et un stabilisant de dispersion.
Korean[ko]
본 발명은 반도체 산화물 잉크를 극단파 백색광, 근적외선 및 원자외선을 이용한 복합 광원으로 광소결하는 방법에 관한 것으로 스트론튬 티타늄 옥사이드(SrTiO3), 바륨 티타늄 옥사이드(BaTiO3) 또는 이들의 혼합물 중에서 선택되는 반도체 산화물 및 분산안정제를 포함하는 복합 광 소결용 반도체 산화물 잉크를 상온 및 대기 조건과 1 내지 100 ms 이내의 짧은 시간에 선택적 또는 대면적으로 어닐링 및 소결할 수 있다.