Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
The germanium laser diode is characterized in that a germanium light emitting element is of a direct transition type due to the application of a tensile strain to single crystal germanium as a light emitting layer, a thin semiconductor layer of silicon, germanium or silicon-germanium is connected adjacent to both ends of the germanium light emitting layer, the thin semiconductor layer has a thickness that does not cause a quantum confinement effect, the other end of the thin semiconductor layer is connected to thick electrodes highly doped with impurities, the electrodes are doped to p-type and n-type, respectively, a waveguide is provided without direct contact with the electrodes, and a mirror is provided at the end of the waveguide.
French[fr]
La diode laser au germanium est caractérisée en ce qu'un élément émetteur de lumière au germanium est d'un type de transition directe en raison de l'application d'une contrainte de traction à du germanium monocristallin en tant que couche d'émission de lumière, une couche semi-conductrice mince de silicium, de germanium ou de silicium-germanium est connectée adjacente aux deux extrémités de la couche d'émission de lumière au germanium, la couche semi-conductrice mince a une épaisseur qui ne provoque pas d'effet de confinement quantique, l'autre extrémité de la couche semi-conductrice mince est connectée à des électrodes épaisses fortement dopées en impuretés, les électrodes sont dopées du type p et du type n, respectivement, un guide d'onde est installé sans contact direct avec les électrodes, et un miroir est installé à l'extrémité du guide d'onde.
Japanese[ja]
本発明によるゲルマニウム発光素子は、発光層となる単結晶ゲルマニウムに引張り歪みが印加されることで直接遷移型になっており、該ゲルマニウム発光層の両端に隣接して、シリコンまたはゲルマニウムまたはシリコン・ゲルマニウムからなる薄い半導体層が接続されており、なおかつ、該薄い半導体層は量子閉じ込め効果が起こらない程度の厚さを有し、該薄い半導体層のもう一方の端部は高濃度に不純物がドーピングされた厚い電極に接続されており、該電極はp型とn型にそれぞれドーピングされており、なおかつ、該電極と直接接することなく導波路が形成されており、該導波路の端部にはミラーが形成される事を特徴とするゲルマニウム・レーザ・ダイオードである。