Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
The method for manufacturing a light-emitting diode element according to the present invention includes: (a) a step of applying nano structures onto a substrate; (b) a step of depositing an oxide film, which has a refractive index value smaller than a substrate refractive index, onto the substrate to which the nano structures are applied; and (c) a step of forming a nano-patterned oxide film on the substrate by removing the applied nano structures after the oxide film deposition.
French[fr]
Le procédé de fabrication d'un élément de diode électroluminescente selon la présente invention comprend : (a) une étape d'application de nanostructures sur un substrat ; (b) une étape de dépôt d'un film d'oxyde, qui possède une valeur d'indice de réfraction inférieure à un indice de réfraction de substrat, sur le substrat sur lequel les nanostructures sont appliquées ; et (c) une étape de formation d'un film d'oxyde à nano-motifs sur le substrat par retrait des nanostructures appliquées après le dépôt de film d'oxyde.
Korean[ko]
이에 따른 발광 다이오드 소자 제조방법은, (a) 기판상에 나노 구조체를 도포하는 단계; (b) 나노 구조체가 도포된 기판상에 기판 굴절률보다 작은 굴절률 값을 갖는 산화막을 증착하는 단계; (c) 산화막 증착 후 도포된 나노 구조체를 제거하여 기판에 나노 패터닝된 산화막을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어진다.