Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
The invention concerns a process to treat a structure of semiconductor-on-insulator type, successively comprising a carrier substrate, an oxide layer (2) and a thin layer of a semiconductor material (3), said structure having a peripheral ring in which the oxide layer (2) is exposed, said process comprising application of a main thermal treatment in a neutral or controlled reducing atmosphere.
French[fr]
L'invention concerne un processus pour traiter une structure de type semi-conducteur-sur-isolant, consistant successivement en un substrat de support, une couche d'oxyde (2) et une couche mince d'un matériau semi-conducteur (3), ladite structure comportant un anneau périphérique dans lequel la couche d'oxyde (2) est exposée, ledit processus consistant en l'application d'un traitement thermique principal dans une atmosphère neutre ou réductrice contrôlée.