Metadata
Author: Eurlex2019
Data
Bulgarian[bg]
Силициев карбид (SiC), галиев нитрид (GaN), алуминиев нитрид (AlN) или полупроводникови „подложки“ на алуминиево-галиев нитрид (AlGaN) или слитъци, блокове или други предварителни форми на тези материали, притежаващи съпротивление, по-голямо от 10 000 ohm-cm при 20 °C.
Czech[cs]
Polovodičové „substráty“ z karbidu křemíku (SiC), nitridu gallitého (GaN), nitridu hlinitého (AlN) nebo směsného nitridu hliníku a gallia (AlGaN) nebo ingoty, hrušky nebo jiné polotovary z těchto materiálů, jejichž odpor je při 20 °C vyšší než 10 000 ohm/cm.
Danish[da]
Halvleder-”substrater” af siliciumkarbid (SiC), galliumnitrid (GaN), aluminiumnitrid (AlN) eller aluminiumgalliumnitrid (AlGaN) eller barrer, boules eller andre preforms af disse materialer, med resistiviteter større end 10 000 ohm-cm ved 20 °C.
German[de]
Siliziumkarbid- (SiC), Galliumnitrid- (GaN), Aluminiumnitrid- (AlN) oder Aluminiumgalliumnitrid-(AlGaN)-Halbleiter-„Substrate“ oder -Stäbe (ingots, boules) oder andere Vorformen dieser Materialien mit einem spezifischen Widerstand größer als 10 000 Ohm cm bei einer Temperatur von 20 °C.
Greek[el]
«Υποστρώματα» ημιαγωγών από καρβίδιο του πυριτίου (SiC), νιτρίδιο του γαλλίου (GaN), νιτρίδιο του αργιλίου (AlN) ή νιτρίδιο του αργιλίου-γαλλίου (AlGaN) ή πλινθώματα, συνθετικοί κρύσταλλοι, ή άλλα προμορφώματα αυτών των υλικών, που έχουν ειδικές αντιστάσεις μεγαλύτερες από 10 000 Ω-cm στους 20 °C.
English[en]
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) semiconductor “substrates”, or ingots, boules or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10 000 ohm-cm at 20 °C.
Spanish[es]
«Sustratos» semiconductores de carburo de silicio (SiC), nitruro de galio (GaN), nitruro de aluminio (AlN) o nitruro de galio-aluminio (AlGaN), o lingotes, compuestos sintéticos (boules) u otras preformas de dichos materiales, con resistividades superiores a 10 000 ohm-cm a 20 °C
Estonian[et]
Ränikarbiidist (SiC), galliumnitriidist (GaN), alumiiniumnitriidist (AlN) või alumiiniumgalliumnitriidist (AlGaN) pooljuht „põhimikud“ või nende materjalide kangid, toorikkristallid või muud eelvormid, mille eritakistus 20 °C juures on suurem kui 10 000 oomi/cm.
Finnish[fi]
Piikarbidi- (SiC), galliumnitridi- (GaN), aluminiumnitridi- (AIN) tai aluminiumgalliumnitridi- (AIGaN) puolijohde”substraatit”, tai näiden materiaalien harkot, boulet tai muut preformit, joiden resistiivisyys on enemmän kuin 10 000 ohmisenttimetriä 20 °C:ssa;
French[fr]
"Substrats" de semi-conducteurs de carbure de silicium (SiC), de nitrure de gallium (GaN), de nitrure d'aluminium (AlN) ou de nitrure de gallium d'aluminium (AlGaN), ou lingots, boules ou autres préformes de ces matières, ayant une résistivité supérieure à 10 000 ohm-cm à 20 °C;
Croatian[hr]
Poluvodičke „podloge” silicijeva karbida (SiC), galijeva nitrida (GaN), aluminijeva nitrida (AlN) ili aluminij galijeva nitrida (AlGaN) ili ingoti, dijelovi ili drugi poluproizvodi od tih materijala s otpornošću većom od 10 000 oma-cm pri 20 °C.
Hungarian[hu]
20 °C-on 10 000 ohm-cm-t meghaladó ellenállású szilícium-karbid (SiC), gallium-nitrid (GaN), alumínium-nitrid (AlN) vagy alumínium-gallium-nitrid (AlGaN) „szubsztrátumok”, vagy ezen anyagok öntecsei, monokristályai vagy egyéb előformái.
Italian[it]
“Substrati” di semiconduttori, lingotti o monocristalli di carburo di silicio (SiC), nitruro di gallio (GaN), nitruro di alluminio (AlN) o nitruro di gallio alluminio (AlGaN) o altre preforme di tali materiali, aventi resistività superiore a 10 000 ohm-cm a 20 °C.
Lithuanian[lt]
Silicio karbido (SiC), galio nitrido (GaN), aliuminio nitrido (AlN) ar aliuminio galio nitrido (AlGaN) puslaidininkiniai „padėklai“ arba luitai, liejiniai ar kitos šių medžiagų pirminės formos, kurių varža esant 20 °C didesnė nei 10 000 omų/cm.
Latvian[lv]
Silīcija karbīda (SiC), gallija nitrīda (GaN), alumīnija nitrīda (AlN) vai alumīnija gallija nitrīda (AlGaN) pusvadītāju “substrāti” vai lējumi, lietņi vai citas šo materiālu sagataves ar īpatnējo pretestību, kas pie 20 °C ir lielāka par 10 000 omi/cm.
Maltese[mt]
“Sottostrati” ta' semikondutturi tal-kristalli tal-karbur tas-siliċju (SiC), nitrur tal-gallju (GaN), nitrur tal-aluminju (AlN) jew nitrur tal-gallju tal-aluminju (AlGaN) jew ingotti, boules, jew preformati oħrajn ta' dawn il-materjali, li għandhom reżistivitajiet ta' aktar minn 10 000 ohm-cm f'temperatura ta' 20 °C.
Dutch[nl]
Semigeleidende "substraten" of walsblokken, monokristallen of andere voorvormstukken (preforms) van siliciumcarbide (SiC), galliumnitride (GaN), aluminiumnitride (AlN) of aluminiumgalliumnitride (AlGaN), met een weerstand van meer dan 10 000 ohm-cm bij een temperatuur van 20 °C.
Polish[pl]
„Podłoża” półprzewodnikowe z węglika krzemu (SiC), azotku galu (GaN), azotku glinu (AlN) lub z azotku galu i glinu (AlGaN), lub wlewki, monokryształy lub inne preformy tych materiałów o rezystywności powyżej 10 000 Ω/cm w temperaturze 20 °C.
Portuguese[pt]
«Substratos» semicondutores de carboneto de silício (SiC), nitreto de gálio (GaN), nitreto de alumínio (AlN) ou nitreto de gálio-alumínio (AlGaN), ou lingotes, compostos sintéticos ou outras pré-formas daqueles materiais, com uma resistividade superior a 10 000 ohm-cm a 20 °C.
Romanian[ro]
Carbură de siliciu (SiC), nitrură de galiu (GaN), nitrură de aluminiu (AIN) sau nitrură de galiu-aluminiu (AIGaN) sub formă de „substraturi” semiconductoare sau lingouri, pastile brute sau alte semifabricate ale materialelor respective, cu o rezistivitate mai mare de 10 000 ohm-cm la 20 °C.
Slovak[sk]
Polovodičové ‚substráty‘ karbidu kremíka (SiC), nitridu gália (GaN), nitridu hliníka (AlN) alebo nitridu hliníku-gália (AlGaN) alebo ingoty, monokryštálové ingoty alebo iné predformy týchto materiálov, ktoré majú pri teplote 20 °C rezistivitu väčšiu ako 10 000 ohm/cm.
Slovenian[sl]
Polprevodniški „substrati“ silicijevega karbida (SiC), galijevega nitrida (GaN), aluminijevega nitrida (AlN) ali aluminijevega galijevega nitrida (AlGaN) ali ingoti, kosi ali drugi polizdelki teh materialov z odpornostjo več kot 10 000 om cm pri 20 °C.
Swedish[sv]
”Substrat” av kiselkarbid (SiC), galliumnitrid (GaN), aluminumnitrid (AlN) eller aluminiumgalliumnitrid (AlGaN), eller halvledar-”substrat”, eller tackor, halvrunda stycken eller andra förformer av dessa material, med en resistivitet som överstiger 10 000 ohm-cm vid 20 °C.