Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
The treatment step is conducted so that (A) the sintered object having the dielectric layer formed thereon has a ratio of the mass loss at 100-300°C in differential thermal analysis to the initial mass is 0.02% or less, or that (B) in the surface layer of the dielectric layer, the ratio of the number of valve metal atoms excluding tungsten to the number of tungsten atoms is 0.05-0.35, or that (C) the requirements (A) and (B) are satisfied.
French[fr]
L'étape de traitement est réalisée de sorte que (A) l'objet fritté sur lequel a été formée la couche diélectrique présente un rapport de la perte massique à une température comprise entre 100 et 300 °C dans une analyse thermique différentielle à la masse initiale inférieur ou égal à 0,02 %, ou que (B) dans la couche de surface de la couche diélectrique, le rapport du nombre d'atomes de métal valve excepté le tungstène au nombre d'atomes de tungstène est compris entre 0,05 et 0,35, ou que (C) les conditions (A) et (B) sont satisfaites.
Japanese[ja]
本発明は、タングステン粉の焼結体を形成する焼結工程、前記焼結体の表面に誘電体層を形成する化成工程、及び前記誘電体層を形成後に当該誘電体層と弁金属のアルコキシド化合物とを接触させる処理工程を有し、前記処理工程を、(A)前記誘電体層が形成された焼結体についての示差熱分析における100~300°Cでの質量減少の当該分析前の質量に対する割合が0. 02%以下となるように行うか、(B)前記誘電体層の表層中におけるタングステン原子に対するタングステン以外の弁金属原子の原子数比が0.