Metadata
Author: EurLex-2
Data
Danish[da]
a) fremstillet ved P-MOS teknologi (Dual P-MOS Field Effect Transistor, Dual P-MOS FET) med en drain-source gennembrudsspaending paa -20 V, en drain-stroem paa ikke over 9,2 A og en effektsaetning paa ikke over 2 W,
German[de]
a) in P-MOS-Technik hergestellt, mit einer Drain-Source-Durchbruchspannung von -20 V, einem Drainstrom von nicht mehr als 9,2 A und einer Verlustleistung von nicht mehr als 2 W,
Greek[el]
a) τεχνολογίας P-MOS, με πτωτική τάση υποδοχής-πηγής -20 V, που λειτουργεί με ρεύμα υποδοχής που δεν υπερβαίνει τα 9,2 A και με βαθμό απώλειας που δεν υπερβαίνει τα 2 W,
English[en]
a) of P-MOS technology (Dual P-MOSFET), having a drain-to-source breakdown-voltage of -20 V, operating with a drain-current not exceeding 9,2 A and with a dissipation rate not exceeding 2 W,
Spanish[es]
a) en tecnología P-MOS, con una tensión de ruptura drenaje-fuente de -20 V, que funciona a una corriente de drenaje inferior o igual a 9,2 A y una capacidad de disipación no superior a 2 W,
French[fr]
a) réalisé en technologie P-MOS, ayant une tension de claquage drain-source de -20 V, fonctionnant avec un courant drain n'excédant pas 9,2 A et un pouvoir de dissipation n'excédant pas 2 W,
Italian[it]
a) in tecnologia P-MOS, con scarica distruttiva pozzo-sorgente di -20 V, funzionante con corrente di pozzo non superiore a 9,2 A e con potenza di dissipazione non superiore a 2 W,
Dutch[nl]
a) vervaardigd volgens de PMOS-techniek, met een afvoer-bron onderbrekingsspanning (Breakdown voltage) van -20 V, werkend met een afvoerstroom van niet meer dan 9,2 A en een dissipatievermogen van niet meer dan 2 W,
Portuguese[pt]
a) realizado em tecnologia P-MOS, tendo uma tensão de ruptura dreno-fonte de -20 V, uma corrente de dreno inferior ou igual a 9,2 A e uma capacidade de dissipação não superior a 2 W,