Metadata
Author: patents-wipo
Data
German[de]
Verfahren zur Herstellung einer einseitig glattgeätzten Siliziumsolarzelle, bei welchem eine Vorderseite und eine Rückseite eines Siliziumsubstrats glattgeätzt werden (10), nachfolgend eine dielektrische Beschichtung auf der Rückseite des Siliziumsubstrats ausgebildet wird (14, 16) und nachfolgend die Vorderseite des Siliziumsubstrats mittels eines Texturätzmediums texturiert wird (20), wobei die auf der Rückseite des Siliziumsubstrats ausgebildete dielektrische Beschichtung als Ätzmaskierung gegenüber dem Texturätzmedium verwendet wird.
English[en]
The invention relates to a method for producing a silicon solar cell which is smoothly etched on one side, in which a front and rear side of a silicon substrate are etched (10) to form a smooth texture, a dielectric coating is then applied onto the rear side of the silicon substrate (14, 16), and the front side of the silicon substrate is subsequently textured (20) by means of a texture etching medium.
French[fr]
Selon ledit procédé, une face avant et une face arrière d'un substrat en silicium sont soumis à un processus d'attaque destiné à les rendre lisses (10), puis un revêtement diélectrique est formé (14, 16) sur la face arrière du substrat en silicium, puis la face avant du substrat en silicium est texturée (20) au moyen d'une substance d'attaque de formation de texture.