Besonderhede van voorbeeld: 8334095994362986948

Danish

(4) Den vare, der er omfattet af denne undersøgelse, er såkaldte Dynamic Random Access Memories (DRAMs) i form af forarbejdede wafers eller dice, samlet eller videreforarbejdet til moduler, fremstillet under anvendelse af variationer af MOS-teknologi (Metal Oxide Semiconductor), herunder CMOS og BiCMOS osv., samt - uden nogen begrænsning - produktvariationer baseret på DRAM-teknologi såsom VRAMs, Pseudo SRAMs, S-DRAMs (synkrone DRAMs), MDRAMs (multibank DRAMs) og R-DRAMs (RAMBUS-DRAMs) af alle tætheder (også fremtidige tætheder) og uanset tilgangstid, konfiguration, frame, indkapsling osv.

German

(4) Die Untersuchung betrifft dynamische Schreib-Lesespeicher (DRAMs), in Form von bearbeiteten Wafern oder Chips, montiert oder zu Modulen weiterverarbeitet, die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS- und BiCMOS-Technik hergestellt werden, sowie sämtliche auf der DRAM-Technik basierende Produktvarianten wie VRAMs, Pseudo-SRAMs, S-DRAMs (synchrone DRAMs), MDRAMs (DRAMs in mehreren Bänken), R-DRAMs (RAMBUS-DRAMs) aller (auch künftiger) Speicherdichten, unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse, dem Rahmen usw.

Greek

(4) Το προϊόν που αποτελεί αντικείμενο της έρευνας είναι δυναμικές μνήμες τυχαίας προσπέλασης (DRAM), είτε υπό μορφή δίσκου ημιαγωγού που έχει υποβληθεί σε επεξεργασία ή μικροπλακιδίων, συναρμολογημένες ή μεταποιημένες σε δομικές μονάδες, που κατασκευάζονται βάσει των παραλλαγών της τεχνολογίας παραγωγής μετάλλου-οξειδίου-ημιαγωγού (MOS), συμπεριλαμβανομένων των CMOS και BiCMOS κ.λπ., και συμπεριλαμβανομένων, χωρίς περιορισμό, παραλλαγών του προϊόντος που χρησιμοποιούν την τεχνολογία DRAM όπως οι μνήμες VRAM, ψευδο-SRAM, (συγχρονισμένες DRAM), MDRAM (multibanque DRAM), R-DRAM (RAMBUS-DRAM), όλων των πυκνοτήτων (συμπεριλαμβανομένων των μελλοντικών πυκνοτήτων), ανεξάρτητα από ταχύτητα προσπέλασης, διάρθρωση, πλαίσιο ή περίβλημα κ.τ.λ.

English

(4) The product concerned by this investigation is dynamic random access memories (DRAMs), whether in processed wafer form or dice form, assembled or further processed onto modules, manufactured using variations of Metal Oxide Semiconductor (MOS) process technology, including CMOS and BiCMOS etc., and including, without limitation, product variations using DRAM technology such as VRAMs, Pseudo SRAMs, S-DRAMs (synchronous DRAMs), MDRAMs (multibank DRAMs), R-DRAMs (RAMBUS-DRAMs), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, frame or package, etc.

Spanish

(4) El producto afectado por esta investigación son las memorias dinámicas de acceso aleatorio (DRAM), bien en forma de obleas transformadas o de dados, ensambladas o vueltas a transformar en módulos, manufacturadas utilizando variaciones de la tecnología de transformación de semiconductores de óxidos metálicos (MOS), incluidos los CMOS y BiCMOS etc., e incluidas, sin limitaciones, las variaciones del producto que utilizan la tecnología DRAM, tales como las VRAM, las pseudo SRAM, las S-DRAM (DRAM sincrónicas), las MDRAM (DRAM multibancos) y las R-DRAM (RAMBUS-DRAM), de todas las densidades (incluidas las densidades futuras), con independencia de la velocidad de acceso, la configuración, el montaje o el encapsulado, etc.

Finnish

(4) Tutkimuksen kohteena olevat tuotteet ovat dynaamisia hakumuisteja (DRAMeja), joko jalostettuina kiekkoina tai puolijohdesiruina, koottuina tai edelleen moduuleiksi jalostettuina, valmistettuina käyttäen metallioksidipuolijohdeteknologian (MOS-teknologian) muunnelmia mukaan lukien CMOS, BiCMOS ja muut sellaiset ja mukaan lukien rajoituksetta tuotemuunnelmat, joissa käytetään DRAM-teknologiaa, kuten VRAMit, PseudoSRAMit, S-DRAMit (synkronoidut DRAMit), MDRAMit (moniriviset DRAMit) ja R-DRAMit (RAMBUS-DRAMit) kaikilla tiheyksillä (mukaan lukien tulevat tiheydet), niihin pääsyn nopeudesta, niiden konfiguroinnista, kehyksestä tai pakkauksesta tai muista sellaisista seikoista riippumatta.

French

(4) Les produits concernés par la présente enquête sont les mémoires dynamiques à accès aléatoire (DRAM - dynamic random access memories), sous forme de disques ou de microplaquettes transformés, assemblées ou ultérieurement transformées en modules, fabriquées à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur, y compris les types CMOS et BiCMOS, etc., et, sans aucune limite, les variantes des produits utilisant la technologie «DRAM», tels que les VRAM, les pseudo-SRAM, les S-DRAM (DRAM synchrones), les MDRAM (DRAM multibanque) et les R-DRAM (RAMBUS-DRAM), de toute densité (y compris les densités futures), quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration, leur support ou leur boîtier, etc.

Italian

(4) I prodotti oggetto della presente inchiesta sono memorie dinamiche ad accesso casuale (dynamic random access memories, DRAM), in forma di piastrine o di wafer trattati, assemblate o sottoposte a ulteriori lavorazioni su moduli, fabbricate utilizzando varianti della tecnologia di processo del semiconduttore a giunzione metallo-ossido (metal oxide seminconductor, MOS) comprese le tecnologie CMOS, BiCMOS ecc., e comprese, ma non esclusivamente, le varianti dei prodotti che utilizzano la tecnologia DRAM quali le VRAM, le pseudo-SRAM, le S-DRAM (DRAM sincronizzate), le MDRAM (DRAM multibanco), le R-DRAM (RAMBUS-DRAM), di qualsiasi densità (comprese quelle future), indipendentemente dal tempo di accesso, dalla configurazione, dalla forma o dall'involucro ecc.

Dutch

(4) Het product van dit onderzoek betreft dynamische willekeurig toegankelijke geheugens (zogenaamde DRAM's), in de vorm van verwerkte schijfjes (wafers) of van plaatjes, geassembleerd of verder bewerkt op modules, vervaardigd met gebruikmaking van variaties van metaaloxide-halfgeleider (MOS)-procestechnologie, met inbegrip van CMOS en BiCMOS enz., en met inbegrip, onbeperkt, van productvariaties die gebruik maken van DRAM-technologie zoals VRAM's, Pseudo SRAM's, S-DRAM's (synchrone DRAM's), MDRAM's (multibank DRAM's), R-DRAM's (RAMBUS-DRAM's), van alle dichtheden (met inbegrip van toekomstige dichtheden), ongeacht hun toegangssnelheid, configuratie, frame, behuizing enz.

Portuguese

(4) O produto objecto do presente inquérito são as memórias dinâmicas de acesso aleatório (DRAM), sob forma de disco (wafer) ou de retículos ou pastilhas (dice), montados ou posteriormente transformados em módulos, fabricados através da utilização de variantes da transformação de semicondutores de óxidos metálicos (MOS), incluindo CMOS e BiCMOS etc. e incluindo, sem limites, variações do produto que utilizam as tecnologias DRAM, tais como VRAM, Pseudo SRAM, S-DRAM (DRAM sincrónica), MDRAM (DRAM multibancos), R-DRAM (RAMBUS-DRAM), de todas as densidades (incluindo densidades futuras), independentemente da velocidade de acesso, configuração montagem ou cápsula, etc.

Swedish

(4) Den produkt som är föremål för undersökning är dynamiska direktminnen (DRAM), antingen i form av bearbetade kiselskivor eller i form av kiselbrickor, monterade eller vidare bearbetade till moduler, tillverkade med hjälp av olika varianter av metalloxidhalvledarteknik (MOS) inbegripet CMOS och BiCMOS m.m. samt andra produktvarianter som använder DRAM-teknik såsom VRAM, Pseudo SRAM, s-DRAM (synkrona DRAM), MDRAM (multibank DRAM), R-DRAM (RAMBUS-DRAMs, av alla tätheter (inklusive framtida tätheter) och oavsett åtkomsttid, konfiguration, ramar eller kapsling m.m.