Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
Disclosed is a semiconductor device provided with a variable resistance element that has a lower section electrode, a variable resistance element film comprised of metallic oxide, and an upper section electrode in between a first wiring and a second wiring, which are arranged on a semiconductor substrate adjacent to each other in the up-down direction, with inter-layer insulation films intervened therebetween.
French[fr]
L'invention concerne un dispositif semi-conducteur comportant un élément à résistance variable qui comporte une section électrode inférieure, une pellicule d'élément à résistance variable constituée d'oxyde métallique, et une section d'électrode supérieure entre un premier circuit et un second circuit, qui sont agencés sur un substrat semi-conducteur de manière adjacente dans la direction haut-bas, avec des pellicules d'isolation intercouche intercalées entre eux.
Japanese[ja]
半導体基板上に層間絶縁膜を介して上下に隣設する第1配線と第2配線との間に、下部電極、金属酸化物からなる抵抗変化素子膜および上部電極を有する抵抗変化素子を備えた半導体装置において、抵抗変化素子膜上の上部電極を第2配線のプラグの一部として形成することで、上部電極の側面が、金属酸化物及び下部電極の側面と直接接しない構造を形成し、金属酸化物及び下部電極のエッチング時に副生成物がこれらの側壁に付着した場合でも、良好な素子特性が実現できる。