Metadata
Author: Eurlex2019
Data
Bulgarian[bg]
Бележка: 3C001.d. не контролира "подложка" с един или няколко епитаксиални слоя от P тип от GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP или InGaAlP, незвисимо от последователността на елементите, освен ако епитаксиалният слой от P тип е между слоевете от N тип.
Czech[cs]
Poznámka: Položka 3C001.d. nezahrnuje „podložky“ mající jednu nebo více epitaxiálních vrstev typu P z GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP nebo InGaAlP, nezávisle na sekvenci prvků, vyjma případu, kdy se epitaxiální vrstva typu P nachází mezi vrstvami typu N.
Danish[da]
Note: 3C001.d. lægger ikke eksportkontrol på et "substrat" med et eller flere P-type epitaksiale lag af GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP eller InGaAlP, uanset grundstoffernes sekvens, undtagen hvis det epitaksiale lag af P-type befinder sig mellem N-type-lag.
German[de]
Anmerkung: Unternummer 3C001d erfasst nicht ein „Substrat“ mit einer oder mehreren p-Typ-Epitaxieschichten aus GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP oder InGaAlP, unabhängig von der Folge der Elemente, außer wenn die p-Typ-Epitaxieschicht zwischen n-Typ-Schichten liegt.
Greek[el]
Σημείωση: Στο σημείο 3C001.δ. δεν υπάγεται «υπόστρωμα» που έχει ένα ή περισσότερα επιταξιακά στρώματα τύπου Ρ GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP ή InGaAlP, ανεξάρτητα από την αλληλουχία των στοιχείων, εκτός εάν το επιταξιακό στρώμα τύπου Ρ βρίσκεται μεταξύ στρωμάτων τύπου Ν.
English[en]
Note: 3C001.d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
Spanish[es]
Nota: El subartículo 3C001.d no somete a control los "sustratos" con una o más capas epitaxiales de tipo P de GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP o InGaAlP, independiente de la secuencia de los elementos, salvo si la capa epitaxial de tipo P está entre capas de tipo N.
Estonian[et]
Märkus Punkt 3C001.d. ei hõlma "põhimikke", millel on üks või mitu P-tüüpi epitaksiaalkihti GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP või InGaAlP, olenemata elementide järjestusest, välja arvatud juhul, kui P-tüüpi epitaksiaalkiht on N-tüüpi kihtide vahel.
Finnish[fi]
Huom.: 3C001.d kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi ”substraattia”, jolla on yksi tai useampia P-tyypin epitaksisia kerroksia GaN:a, InGaN:a, AlGaN:a, InAlN:a, InAlGaN:a, GaP:a,, GaAs:a, AlGaAs:a, InP:a, InGaP:a, AlInP:a tai InGaAlP:a, riippumatta alkuaineiden järjestyksestä, paitsi jos P-tyypin epitaksinen kerros on N-tyypin kerrosten välissä.
French[fr]
Note: L’alinéa 3C001.d. ne vise pas les "substrats" ayant une ou plusieurs couches épitaxiales de type P de GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP ou InGaAlP, indépendamment de l’ordre des éléments, excepté si la couche épitaxiale de type P se situe entre des couches de type N.
Croatian[hr]
Napomena: 3C001.d. ne odnosi se na „podloge” koje imaju jedan ili više epitaksijalnih slojeva P-tipa iz GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP ili InGaAlP, neovisno o slijednosti elemenata, osim ako se epitaksijalni sloj P-tipa nalazi između slojeva N-tipa.
Hungarian[hu]
Megjegyzés: A 3C001.d. alpont nem vonja ellenőrzés alá az egy vagy több – az elemek sorrendjétől függetlenül –GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP vagy InGaAlP P-típusú epitaxiális réteggel rendelkező „alaplemezeket”, kivéve, ha a P-típusú epitaxiális réteg az N-típusú rétegek között helyezkedik el.
Italian[it]
Nota: 3C001.d. non sottopone ad autorizzazione i "substrati" aventi uno o più strati epitassiali di tipo P di GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP o InGaAlP, indipendentemente dalla sequenza degli elementi, tranne qualora lo strato epitassiale di tipo P sia tra strati di tipo N.
Lithuanian[lt]
Pastaba. 3C001.d netaikomas „padėklui“, turinčiam vieną ar daugiau p-tipo GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, Gap, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP ar InGaAlP epitaksinių sluoksnių, nesvarbu, kokia elementų seka, išskyrus atvejus, kai p-tipo epitaksinis sluoksnis yra tarp n-tipo sluoksnių.
Latvian[lv]
Piezīme: Kontrole 3C001.d. pozīcijā neattiecas uz "substrātu", kam ir viens vai vairāki P-veida GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP vai InGaAlP epitaksiāli slāņi neatkarīgi no elementu secības, izņemot gadījumus, kad P-veida epitaksiālais slānis ir starp N-veida slāņiem.
Maltese[mt]
Nota: 3C001.d. ma jikkontrollax “sottostrat” b'saff wieħed epitasjali tat-tip P jew aktar ta' GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP jew InGaAlP, independentement mis-sekwenza tal-elementi, ħlief jekk is-saff epitassjali tat-tip P ikun bejn is-saffi tat-tip N.
Dutch[nl]
Noot: 3C001.d. heeft geen betrekking op "substraat" met één of meer P-type epitaxiale lagen GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP of InGaAlP, onafhankelijk van de volgorde van de elementen, behalve wanneer de P-type epitaxiale laag zich tussen N-type lagen bevindt.
Polish[pl]
Uwaga: Pozycja 3C001.d. nie obejmuje kontrolą „podłoża” posiadającego co najmniej jedną warstwę epitaksjalną typu P z GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP lub InGaAlP, bez względu na kolejność pierwiastków, z wyjątkiem sytuacji, gdy warstwa epitaksjalna typu P znajduje się między warstwami typu N.
Portuguese[pt]
Nota: 3C001.d. não abrange um "substrato" com uma ou mais camadas epitaxiais de tipo P de GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP ou InGaAlP, independente da sequência dos elementos, exceto se a camada epitaxial do tipo P estiver entre camadas de tipo N.
Romanian[ro]
Notă: 3C001.d. nu supune controlului un „substrat” având unul sau mai multe straturi epitaxiale de tip P de GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP sau InGaAlP, independent de ordinea elementelor, cu excepția cazului în care stratul epitaxial de tip P se află între straturi de tip N.
Slovak[sk]
Poznámka: 3C001.d) sa nevzťahuje na „substrát“ s jednou alebo viacerými epitaxiálnymi vrstvami typu P z GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP alebo InGaAlP, nezávisle od sekvencie prvkov, s výnimkou prípadu, keď je epitaxiálna vrstva typu P medzi vrstvami typu N.
Slovenian[sl]
Opomba: predmet nadzora v točki 3C001(d) ni ‚podlaga‘ z eno ali več epitaksialnimi plastmi tipa P iz GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP ali InGaAlP, ne glede na zaporedje elementov, razen če je epitaksialna plast tipa P med plastmi tipa N.
Swedish[sv]
Anmärkning: Avsnitt 3C001.d omfattar inte ”substrat” som har ett eller fler epitaxiella lager av P-typ av GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP eller InGaAlP, oberoende av elementens sekvens, utom i det fall det epitaxiella lagret av P-typ ligger mellan lager av N-typ.