Metadata
Author: EurLex-2
Data
Bulgarian[bg]
Фотокатоди от полупроводници от „съединения на елементи от III/V група на периодичната таблица“ (напр. GaAs или GaInAs) и фотокатоди с трансфер на електрони с максимална „чувствителност на излъчване“, надвишаваща 15 mA/W.
Czech[cs]
fotokatody ze „sloučenin skupin polovodičů III/V“ (například GaAs nebo GaInAs) a fotokatody na základě převedených elektronů s maximální „radiantovou citlivostí“ přesahující 15 mA/W;
Danish[da]
"III-/V-forbindelse" sammensatte halvlederfotokatoder (f.eks. GaAs eller GaInAs) og overførte elektronfotokatoder med en "strålingsfølsomhed" på over 15 mA/W.
German[de]
B. GaAs oder GaInAs) und Fotokathoden mit Transferelektronen (transferred electron photocathodes) mit einer maximalen “Strahlungsempfindlichkeit” (radiant sensitivity) größer 15 mA/W;
Greek[el]
Φωτοκάθοδοι «σύνθετων ημιαγωγών III/V» (π.χ. GaAs ή GaInAs) και φωτοκάθοδοι μεταφερόμενων ηλεκτρονίων με μέγιστη «ευαισθησία ακτινοβολίας» άνω των 15 mΑ/W,
English[en]
"III/V compound" semiconductor (e.g., GaAs or GaInAs) photocathodes and transferred electron photocathodes, having a maximum "radiant sensitivity" exceeding 15 mA/W;
Spanish[es]
Fotocátodos semiconductores (por ejemplo GaAs o GaInAs) "compuestos III/-V" y fotocátodos de transferencia de electrones que tengan una "sensibilidad radiante" máxima superior a 15 mA/W
Estonian[et]
„III/V ühenditest” pooljuhtfotokatoodid (nt GaAs või GaInAs) ja elektronülekande fotokatoodid maksimaalse „kiirgustundlikkusega” üle 15 mA/W;
Finnish[fi]
”III/V-yhdiste”puolijohteisiin perustuvat valokatodit (kuten GaAs- tai GaInAs-valokatodit) ja elektroninsiirtoon perustuvat valokatodit, joiden maksimi”säteilynherkkyys” on yli 15 mA/W;
French[fr]
des photocathodes à semi-conducteurs «composés III-V» (par ex., GaAs ou GaInAs) et photocathodes à électrons transférés ayant une «sensibilité d’énergie radiante» maximale supérieure à 15 mA/W;
Croatian[hr]
poluvodičke fotokatode od „III/V spojeva” (npr. GaAs ili GaInAs) i fotokatode s prenesenim elektronima (transferred electron photocathodes) s maksimalnom „osjetljivošću na zračenje” većom od 15 mA/W;
Hungarian[hu]
„III/V összetett” félvezető (pl. GaAs vagy GaInAs) fotokatódok és kilökött elektron fotokatódok 15 mA/W-t meghaladó maximális „sugárérzékenységgel”.
Italian[it]
fotocatodi semiconduttori "composti appartenenti alle classi III/V" (ad esempio GaAs o GaInAs) e fotocatodi a trasferimento di elettroni aventi "sensibilità radiante" massima superiore a 15 mA/W;
Lithuanian[lt]
puslaidininkiniai „III/V junginių“ (pvz., GaAs arba GaInAs) fotokatodai ir elektronų pernašos fotokatodai, kurių didžiausias „jautrumas švitinimui“ yra didesnis nei 15 mA/W;
Latvian[lv]
"III/V grupas elementu savienojumu" pusvadītāju (piem., GaAs vai GaInAs) fotokatodi un elektronu pārnesuma fotokatodi ar maksimālo "izstarojuma jutību", kas pārsniedz 15 mA/W;
Maltese[mt]
Fotokatodi semikondutturi (pereżempju, GaAs jew GaInAs) ta' "kompost III/-V" u fotokatodi elettroniċi trasferiti b'"sensittività radjanti" massima ta' aktar minn 15 mA/W;
Dutch[nl]
"op III/V-verbindingen gebaseerde" halfgeleiderfotokathoden (bv. GaAs of GaInAs) en fotokathoden op basis van elektronenoverdracht, met een maximale "stralingsgevoeligheid" van meer dan 15 mA/W;
Polish[pl]
fotokatody półprzewodnikowe (np. GaAs lub GaInAs) oparte na „związkach III/V” oraz fotokatody o elektronach przeniesionych, o maksymalnej „czułości promieniowania” powyżej 15 mA/W;
Portuguese[pt]
Fotocátodos semicondutores (p. ex. GaAs ou GaInAs) "compostos III/V" e fotocátodos de transferência de eletrões com uma "sensibilidade radiante" máxima superior a 15 mA/W;
Romanian[ro]
fotocatozi din semiconductori cu „compuși III/V” (de exemplu, GaAs sau GaInAs) și fotocatozi cu electroni transferați, având o „sensibilitate radiantă” maximă de peste 15 mA/W;
Slovak[sk]
polovodičové fotokatódy zo „zlúčenín III/V“ (napr. GaAs alebo GaInAs) a fotokatódy s prenesenými elektrónmi s maximálnou „citlivosťou na žiarenie“ prevyšujúcou 15 mA/W;
Slovenian[sl]
heteroatomne polprevodniške fotokatode „skupin III/V“ (npr. GaAs ali GaInAs) in fotokatode s prenesenimi elektroni z največjo „sevalno občutljivostjo“, večjo od 15 mA/W;
Swedish[sv]
Fotoceller av halvledartyp bestående av ”III/-V-föreningar” (t.ex. GaAs eller GaInAs) och överförda elektronfotoceller med en maximal ”strålningskänslighet” som överstiger 15 mA/W.