Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
Furthermore, on the outermost circumference of an active region wherein a plurality of nLDMOS devices are formed, a guard ring having potential equivalent to that of a drain region (D) is provided.
French[fr]
En outre, une grille de protection dont le potentiel est équivalent à celui d'une région de drain (D) est prévue sur la circonférence la plus externe d'une région active dans laquelle est formée une pluralité de dispositifs nLDMOS.
Japanese[ja]
さらに、複数のnLDMOSデバイスが形成された活性領域の最外周にドレイン領域(D)と同電位のガードリングを設けている。