Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
In particular, when the nitride is grown by manufacturing the seed layer for growing the nitride from GaN powder, dislocation due to the difference in the lattice parameters of the nitride and the silicon is minimized.
French[fr]
En particulier, lorsque le nitrure est soumis à une croissance par fabrication de la couche d'ensemencement pour faire croître le nitrure à partir d'une poudre de GaN, une dislocation due à la différence dans les paramètres de réseau du nitrure et du silicium est rendue minimale.
Korean[ko]
특히, 상기 질화물 성장용 시드층을 GaN 파우더로 형성하여 질화물을 성장시킨 결과, 질화물과 실리콘의 격자 상수 차이로 인하여 발생하는 선결함(dislocation)을 최소화할 수 있었다.