Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
According to the method for reducing a probability of hot carrier transition provided by the present invention, scattering impurities, that is, non-ionized impurities are injected in a channel material near a side of a drain, so that a probability that a hot carrier is scattered in a pinch-off region is increased, a carrier is subject to increased resistance in the movement in the pinch-off region, the energy of a hot carrier is reduced, and accordingly the quantity and probability of hot carriers that enter a gate dielectric layer are reduced.
French[fr]
Selon le procédé de réduction d'une probabilité de transition de porteuse chaude de la présente invention, la dispersion d'impuretés, c'est-à-dire, les impuretés non ionisées sont injectées dans un matériau de canal à proximité d'un côté d'un drain, de sorte qu'une probabilité qu'une porteuse chaude soit dispersée dans une région de pincement est accrue, une porteuse est soumise à une résistance accrue dans le mouvement de la région de pincement, l'énergie d'une porteuse chaude est réduite et, en conséquence, la quantité et la probabilité des porteuses chaudes qui pénètrent une couche diélectrique de grille sont réduites.
Chinese[zh]
在所述伪栅空位中淀积栅极叠层(500)。 根据本发明提供的一种减小热载流子跃迁几率的方法,在靠近漏端一侧的沟道材料中注入散射杂质,即非电离杂质,增大热载流子在夹断区被散射的概率,使得载流子在夹断区运动时受到的阻力增大,降低热载流子的能量,从而减小热载流子进入栅极介质层的数目和几率。